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SMAJ33CF1 PDF预览

SMAJ33CF1

更新时间： 2024-11-16 09:02:07
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
7页 241K
描述
400W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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SMAJ33CF1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.07其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：44.9 V最小击穿电压：36.7 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：400 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
最大重复峰值反向电压：33 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

SMAJ33CF1 数据手册

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RoHS  
SMAJ SERIES  
COMPLIANT  
Surface Mount Transient Voltage Suppressor Diodes  
Uni-directional  
Features  
● For surface mounted applications  
● Low-profile package  
● Ideal for automated placement  
● Available in Unidirectional and Bidirectional  
● 400 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs  
waveform  
● Low incremental surge resistance, excellent clamping  
capability  
● Very fast response time  
● High temperature soldering guaranteed: 260 °C/10 s at  
terminals  
Bi-directional  
● Meets MSL level 1  
● Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Typical Applications  
Use in sensitive electronics protection against voltage transients  
induced by inductive load switching and lighting on ICs, MOSFET,  
signal lines of sensor units for consumer, computer, industrial,  
telecommunication.  
Mechanical Data  
●
ackage: DO-214AC (SMA)ꢀ ꢀ  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
For uni-directional types the band denotes cathode  
Polarity:  
end, no marking on bi-directional types ꢀ  
(T =25℃Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
PARAMETER  
SYMBOL  
Max  
400  
UNIT  
W
Peak power dissipation, with a 10/1000us waveform  
(1) (2) (Fig.1)  
PPPM  
Peak pulse current, with a 10/1000us waveform  
(1)  
IPPM  
A
See Next Table  
1.0  
Power dissipation, on infinite heat sink at TL=75℃  
PD  
W
Peak forward surge current, 8.3 ms single  
half sine-wave unidirectional only (2)  
IFSM  
A
40  
Operating junction and storage temperature range  
TJ,TSTG  
℃
-55 to +150  
（T =25℃Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
VALUE  
3.5/5.0  
1.5  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
V
Maximum instantaneous forward voltage  
@ at 25A for unidirectional only (3)  
VF  
VF  
Maximum instantaneous forward voltage  
@ at 1A for unidirectional only  
V
1 / 7  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
S-S096  
Rev. 2.3, 17-Apr-19  
www.21yangjie.com  
1234567

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与SMAJ33CF1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMAJ33CF3 YANGJIE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
SMAJ33C-G SENSITRON

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMAJ33C-GT3 SENSITRON

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMAJ33CHE3/61 VISHAY

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Bidirectional,
SMAJ33C-HE3/61 VISHAY

获取价格

 		400W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
SMAJ33C-T MCC

获取价格

 		Transient Suppressor,
SMAJ33C-T3 SENSITRON

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMAJ33CTRE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Bidirectional,
SMAJ33D / CD SWST

获取价格

 		瞬态电压抑制管
SMAJ33E3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2

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