5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-214AC | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.46 |
| Is Samacsys： | N | 最大击穿电压： | 123 V |
| 最小击穿电压： | 111 V | 击穿电压标称值： | 117 V |
| 最大钳位电压： | 157 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AC | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| P6SMB120A-M3/52 | VISHAY |
功能相似  |
TVS DIODE 102V 165V DO214AA |
|
| P6SMB120AT3 | ONSEMI |
功能相似 |
600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
|
| P6KE120A | LITTELFUSE |
功能相似 |
Silicon Avalanche Diodes - Silicon Avalanche Diodes |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMA6J100CA | SUNMATE |
获取价格 |
600W plug-in TVS transient suppression diode SMA 100V |
|
| SMA6J100CA | RECTRON |
获取价格 |
Package / Case : DO-214AC(SMA);Mounting Style : SMD/SMT;Power Rating : 600 W;Polarity : Bi |
|
| SMA6J100CA-TR | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High junction temperature Transil TM |
|
| SMA6J10A | SUNMATE |
获取价格 |
600W plug-in TVS transient suppression diode SMA 10V |
|
| SMA6J10A | VISHAY |
获取价格 |
Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
|
| SMA6J10A | MCC |
获取价格 |
600 Watt Transient Voltage Suppressors 5.0 to 33 Volts |
|
| SMA6J10A | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
|
| SMA6J10A | BOURNS |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, |
|
| SMA6J10A | SECOS |
获取价格 |
Peak Power Surface Mount TVS |
|
| SMA6J10A | LGE |
获取价格 |
瞬态抑制二极管 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
