SMA661AS

更新时间： 2024-11-11 04:03:59

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		射频和微波射频放大器微波放大器信息通信管理全球定位系统
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描述
GPS HIGH GAIN LNA ICs

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SMA661AS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOT-666, 6 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18 dB	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	6
最大工作频率：	1650 MHz	最小工作频率：	1500 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	FL6,.047,20
电源：	2.7 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	Base Number Matches：	1

SMA661AS 数据手册

SMA661AS

GPS HIGH GAIN LNA ICs

PRELIMINARY DATA

GENERAL FEATURES

Figure 1. Package

■ LOW NOISE FIGURE 1.4 dB @ 1.575 GHz

■ HIGH GAIN 17 dB @ 1.575 GHz

■ POWER DOWN FUNCTION

SOT666 (Lead-Free)

1.65 x 1.2 x 0.57 mm

■ TEMPERATURE COMPENSATED

■ UNCONDITIONALLY STABLE

■ INTEGRATED OUTPUT MATCHING

■ ESD PROTECTION (± 2kV HBM)

■ 70 GHz Silicon Germanium TECHNOLOGY

■ LEAD-FREE STRAIGHT PACKAGE (SOT666)

Top View

APPLICATIONS

■ GPS

DESCRIPTION

Table 1. Pin Connection

Pin No.

SMA661AS is a product of the SMA Family

(Silicon MMIC Amplifiers), it uses ST state-of-the

art SiGe BiCMOS technology.

The excellent RF performances (17dB Gain and

1.4dB NF at 1.575GHz) and the few external

component counts (just one capacitor) make the

SMA661AS an ideal solution for GPS Low Noise

Amplifier. SMA661AS embeds a power down

function avoiding to use an external switch; in

Pin Name

RF IN

GND

RF OUT

GND

power down mode (V ≤ V

) the current con-

PDL

sumption is about 10 nA. It is housed in ultra min-

iature SOT666 plastic package (1.65mm x

1.2mm x 1.57mm).

Vcc

Table 2. Order Codes

Package

Tape and Reel

SOT666

SMA661ASTR

Figure 2. Circuit Schematic

VCC (6)

RF OUT(4)

RF IN (1)

RF input

SMA661AS

RF Output

33nF

PD (3)

GND (2,5)

Rev. 2

October 2005

1/10

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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