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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> SMA4036
SMA4036 PDF预览

SMA4036

更新时间： 2024-11-19 12:20:07
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体二极管晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 504K
描述
NPN Darlington With built-in flywheel diode

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SMA4036 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMA, SIP-15
针数：15Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：2.28Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSIP-T15元件数量：6
端子数量：15封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

SMA4036 数据手册

 浏览型号SMA4036的Datasheet PDF文件第2页 
NPN Darlington  
• • •  
With built-in flywheel diode  
SMA4036  
External dimensions  
SMA (15-pin)  
B
Electrical characteristics  
Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Specification  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
max  
Conditions  
min  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
V
V
V
A
A
A
A
A
V
ICBO  
IEBO  
10  
10  
µA  
mA  
V
VCB=120V  
VEB=6V  
120  
6
VCEO  
VCEO(SUS)  
hFE  
120  
120  
IC=10mA  
2
4 (PW≤1ms, Du≤50%)  
0.2  
V
IC=1A  
ICP  
2000  
5000  
1.1  
1.8  
1.3  
0.5  
4.5  
1.2  
50  
12000  
1.5  
VCE=4V, IC=1A  
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VFEC  
ton  
V
V
IC=1A, IB=2mA  
IF  
2 (PW≤0.5ms, Du≤25%)  
4 (PW≤10ms, Single pulse)  
120  
2.2  
IFSM  
VR  
1.8  
V
IFEC=0.5A  
VCC 30V,  
µs  
µs  
µs  
MHz  
pF  
4 (Ta=25°C)  
tstg  
IC=0.5A,  
PT  
W
20 (Tc=25°C)  
150  
tf  
IB1=–IB2=1mA  
VCE=12V, IE=–0.1A  
VCB=10V, f=1MHz  
Tj  
°C  
°C  
fT  
Tstg  
–40 to +150  
Cob  
20  
■Equivalent circuit diagram  
●Diode for flyback voltage absorption  
(Ta=25°C)  
Specification  
2
4
7
3
13  
12  
14  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
typ  
max  
VR  
VF  
IR  
120  
V
V
IR=10µA  
IF=1A  
1.8  
10  
µA  
ns  
VR=120V  
IF= 100mA  
1
5
6
10  
11  
15  
R1 R2  
trr  
100  
8
R1: 4kΩ typ R2: 150Ω typ  
Characteristic curves  
IC-VCE Characteristics (Typical)  
hFE-IC Characteristics (Typical)  
hFE-IC Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
4
10000  
5000  
10000  
typ  
5000  
3
2
3mA  
2mA  
1000  
500  
1000  
C
°
75  
C
°
500  
–30  
100  
50  
1
0
100  
50  
20  
0.02  
20  
0.02  
0
1
2
3
4
5
6
0.05 0.1  
0.5  
C (A)  
1
4
0.05 0.1  
0.5  
1
4
V
CE (V)  
I
IC (A)  
VCE(sat)-IC Temperature Characteristics (Typical)  
VCE(sat)-IB Characteristics (Typical)  
IC-VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC / IB=1000)  
(IC=1A)  
(VCE=4V)  
3
3
2
1
4
C
°
75  
3
2
C
°
2
7 5  
Ta  
=125  
°
C
1
0
1
75°C  
25°C  
0
0.1  
0
0
0.2  
0.5  
1
4
0.5  
1
5
1
2
3
IC  
(A)  
V
BE (V)  
IB (mA)  
θ j-a-PW Characteristics  
PT-Ta Characteristics  
Safe Operating Area (SOA)  
20  
15  
10  
20  
10  
5
With Infinite Heatsink  
1
5
0.5  
5
0
Without Heatsink  
1
0.1  
Single Pulse  
Without Heatsink  
Ta=25°C  
0.5  
0.2 0.5  
0.05  
1
5
10  
50 100  
500 1000  
3
5
10  
50  
100  
–40  
0
50  
a
100  
150  
VCE (V)  
PW (mS)  
T
(°C)  
131  
12

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