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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> SMA4033
SMA4033 PDF预览

SMA4033

更新时间： 2024-11-22 22:43:03
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体二极管晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
NPN Darlington With built-in flywheel diode

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SMA4033 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMA, SIP-12
针数：12Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.26Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.037最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PSIP-T12
元件数量：4端子数量：12
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SMA4033 数据手册

  
NPN Darlington  
• • •  
With built-in flywheel diode  
SMA4033  
External dimensions  
SMA  
B
Electrical characteristics  
Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Specification  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
10  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
V
V
V
A
A
A
A
A
V
ICBO  
IEBO  
µA  
mA  
V
VCB=120V  
VEB=6V  
100  
10  
6
VCEO  
100  
IC=25mA  
2
4 (PW≤1ms, Du≤50%)  
0.2  
hFE  
2000  
6000  
1.1  
15000  
1.5  
VCE=4V, IC=1A  
ICP  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
V
V
IC=1A, IB=2mA  
IB  
1.7  
2.0  
IF  
2 (PW≤0.5ms, Du≤25%)  
4 (PW≤10ms, Single pulse)  
120  
●Diode for flyback voltage absorption  
(Ta=25°C)  
IFSM  
VR  
Specification  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
typ  
max  
4 (Ta=25°C)  
VR  
VF  
IR  
120  
V
V
IR=10µA  
IF=1A  
PT  
W
20 (Tc=25°C)  
150  
1.8  
10  
Tj  
°C  
°C  
µA  
ns  
VR=120V  
IF=±100mA  
Tstg  
–40 to +150  
trr  
100  
■Equivalent circuit diagram  
2
3
4
9
10 11  
1
5
8
12  
R1 R2  
6
7
R1: 4kΩ typ R2: 150Ω typ  
Characteristic curves  
IC-VCE Characteristics (Typical)  
hFE-IC Characteristics (Typical)  
hFE-IC Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
typ  
(VCE=4V)  
10000  
4
10000  
5000  
5000  
3
2
3mA  
2mA  
1000  
500  
1000  
C
°
75  
C
°
500  
–30  
100  
50  
1
0
100  
50  
20  
0.02  
20  
0.02  
0
1
2
3
4
5
6
0.05 0.1  
0.5  
C (A)  
1
4
0.05 0.1  
0.5  
1
4
V
CE (V)  
I
I
C (A)  
VCE(sat)-IC Temperature Characteristics (Typical)  
VCE(sat)-IB Characteristics (Typical)  
IC-VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(IC / IB=1000)  
(IC=1A)  
(VCE=4V)  
3
3
2
1
4
3
2
C
°
2
7 5  
Ta  
=125  
°
C
1
0
1
75°C  
25°C  
0
0.1  
0
0
0.2  
0.5  
1
(A)  
4
0.5  
1
5
1
2
3
I
C
VBE (V)  
I
B (mA)  
θ j-a-PW Characteristics  
PT-Ta Characteristics  
Safe Operating Area (SOA)  
20  
20  
10  
5
15  
10  
1
5
0.5  
5
0
Without Heatsink  
1
0.1  
Single Pulse  
Without Heatsink  
T
a=25°C  
0.5  
0.2 0.5  
0.05  
1
5
10  
50 100  
500 1000  
3
5
10  
50  
100  
–40  
0
50  
a
100  
150  
VCE (V)  
PW (mS)  
T
(°C)  
96  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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