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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> SMA4032
SMA4032 PDF预览

SMA4032

更新时间： 2024-11-18 22:43:03
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体二极管晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 26K
描述
NPN Darlington With built-in flywheel diode

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SMA4032 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMA, SIP-12
针数：12Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：1.24Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.067最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PSIP-T12
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：12封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：40 MHzBase Number Matches：1

SMA4032 数据手册

  
NPN Darlington  
• • •  
With built-in flywheel diode  
SMA4032  
External dimensions  
SMA  
B
Electrical characteristics  
Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Specification  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
max  
10  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
120  
V
V
V
A
A
A
A
A
V
ICBO  
IEBO  
VCEO  
hFE  
µA  
mA  
V
VCB=120V  
VEB=6V  
100  
10  
6
100  
IC=25mA  
3
5 (PW≤1ms, Du≤50%)  
0.2  
2000  
6000  
1.1  
1.7  
0.5  
2.2  
0.9  
40  
15000  
1.5  
VCE=4V, IC=1.5A  
ICP  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
ton  
V
V
IC=1.5A, IB=3mA  
IB  
2.0  
IF  
3 (PW≤0.5ms, Du≤25%)  
5 (PW≤10ms, Single pulse)  
120  
µs  
VCC 30V,  
IC=1.5A,  
IFSM  
VR  
tstg  
µs  
tf  
µs  
IB1=–IB2=3mA  
VCE=12V, IE=–0.5A  
VCB=10V, f=1MHz  
4 (Ta=25°C)  
fT  
MHz  
pF  
PT  
W
20 (Tc=25°C)  
150  
Cob  
30  
Tj  
°C  
°C  
●Diode for flyback voltage absorption  
(Ta=25°C)  
Tstg  
–40 to +150  
Specification  
Symbol  
Unit  
Conditions  
■Equivalent circuit diagram  
min  
typ  
max  
VR  
VF  
IR  
120  
V
V
IR=10µA  
IF=1A  
2
3
4
9
10 11  
1.6  
10  
µA  
ns  
VR=120V  
IF=±100mA  
1
5
8
12  
trr  
100  
R1 R2  
6
7
R1: 3kΩ typ R2: 200Ω typ  
Characteristic curves  
IC-VCE Characteristics (Typical)  
hFE-IC Characteristics (Typical)  
hFE-IC Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
5
20000  
10000  
5000  
20000  
75°C  
typ  
1mA  
2mA  
10000  
25°C  
4
3
5000  
=10mA  
B
I
C
°
0.3mA  
=125  
Ta  
1000  
500  
1000  
2
500  
1
0
100  
50  
100  
50  
0
1
2
3
4
5
6
0.03 0.05 0.1  
0.5  
(A)  
1
5
0.03  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
V
CE (V)  
I
C
I
C
(A)  
VCE(sat)-IC Temperature Characteristics (Typical)  
VCE(sat)-IB Characteristics (Typical)  
IC-VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
(IC / IB=1000)  
5
3
3
4
75°C  
2
2
25°C  
3
25°C  
75°C  
IC=3A  
2
IC=1.5A  
1
1
IC=1A  
C
°
125  
1
0
0
0.1  
0
0.5  
0
1
2
3
IB (mA) 5  
0.5  
1
10  
50  
1
5
I
C
(A)  
VBE (V)  
θ j-a-PW Characteristics  
PT-Ta Characteristics  
Safe Operating Area (SOA)  
20  
20  
15  
10  
10  
5
10  
5
With Infinite Heatsink  
1
0.5  
5
0
Without Heatsink  
1
0.1  
Single Pulse  
Without Heatsink  
0.05  
0.03  
3
T
a=25°C  
0.5  
0
5
10  
50 100  
500 1000  
5
10  
50  
100  
–40  
0
50  
100  
150  
V
CE (V)  
PW (mS)  
Ta (°C)  
95  
1

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