SM8J45

更新时间： 2024-09-16 21:54:47

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东芝 - TOSHIBA		栅极触发装置三端双向交流开关功率控制局域网
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AC POWER CONTROL APPLICATIONS

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SM8J45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	30 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	50 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	2 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	8 A	重复峰值关态漏电流最大值：	2000 µA
断态重复峰值电压：	600 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

SM8J45 数据手册

SM8G45, SM8J45, SM8G45A, SM8J45A

TOSHIBA BI-DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SM8G45, SM8J45, SM8G45A, SM8J45A

AC POWER CONTROL APPLICATIONS

Unit: mm

ꢀ

Repetitive Peak Off−State Voltage: V

= 400V, 600V

DRM

R.M.S On−State Current: I

= 8A

T (RMS)

High Commutating (dv / dt)

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

400

UNIT

SM8G45

SM8G45A

Repetitive Peak Off−

DRM

State Voltage

SM8J45

600

SM8J45A

R.M.S On−State Current

(Full Sine Waveform Tc = 105°C)

T (RMS)

80 (50Hz)

88 (60Hz)

Peak One Cycle Surge On−State

Current (Non−Repetitive)

TSM

I t Limit Value

I t

A s

JEDEC

JEITA

TO-220AB

―

Critical Rate of Rise of On−State

Current

di / dt

A / µs

TOSHIBA

13-10G1A

Peak Gate Power Dissipation

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Voltage

0.5

Weight: 2.0 g (typ.)

G (AV)

Peak Gate Current

Junction Temperature

−40~125

°C

Storage Temperature Range

stg

2004-07-06

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