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SM6S30A2D

更新时间： 2024-02-15 21:48:38

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	62K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-218AB

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SM6S30A2D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PSSO-C1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.59	其他特性：	PATENTED DEVICE
最大击穿电压：	36.8 V	最小击穿电压：	33.3 V
击穿电压标称值：	35.05 V	外壳连接：	ANODE
最大钳位电压：	48.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-218AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-C1
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	3600 W
元件数量：	1	端子数量：	1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	6 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	C BEND
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SM6S30A2D 数据手册

SM6S Series

Surface Mount Automotive

Transient Voltage Suppressors

Stand-off Voltage 10 to 36V

Peak Pulse Power 4600W (10/1000µs)

3600W (10/10,000µs)

DO-218AB

0.628(16.0)

0.592(15.0)

0.539(13.7)

0.524(13.3)

0.116(3.0)

0.093(2.4)

Mounting Pad Layout

0.413(10.5) 0.342(8.7)

0.374(9.5) 0.327(8.3)

0.091(2.3)

0.067(1.7)

0.116(3.0)

0.413(10.5)

0.366(9.3)

0.343(8.7)

0.093(2.4)

0.374(9.5)

Dimensions in

inches and (millimeters)

0.406(10.3)

0.382(9.7)

0.150(3.8)

0.126(3.2)

0.366(9.3)

0.343(8.7)

LEAD 1

0.138(3.5)

0.098(2.5)

0.197(5.0)

0.185(4.7)

0.606(15.4)

0.583(14.8)

0.028(0.7)

0.020(0.5)

Patent #’s:

0.016 (0.4) Min.

4,980,315

5,166,769

5,278,095

0.098(2.5)

0.059(1.5)

LEAD 2/METAL HEATSINK

Mechanical Data

Features

Case: Molded plastic body, surface mount with heatsink

integrally mounted in the encapsulation

• Ideally suited for load dump protection

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

• High temperature stability due to unique oxide passiva-

tion and patented PAR^®construction

• Integrally molded heatsink provides a very low thermal

resistance for maximum heat dissipation

• Low leakage current at T_J= 175°C

Terminals: Plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Heatsink is anode

Mounting Position: Any

Weight: 0.091oz., 2.58g

Packaging codes/options:

• High temperature soldering guaranteed:

260°C for 10 seconds at terminals

• Meets ISO7637-2 surge spec.

2D/750 per 13” Reel (16mm Tape),

anode towards sprocket hole, 4.5K/box

2E/750 per 13” Reel (16mm Tape),

cathode towards sprocket hole, 4.5K/box

• Low forward voltage drop

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak pulse power dissipation with 10/1000µs waveform

10/10,000µs waveform

4600

3600

P_PPM

Steady state power dissipation

P_D

I_PPM

6.0

See Table 1

600

Peak pulse current with a 10/1000µs waveform _{(NOTE 1)}

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

Typical thermal resistance junction to case

I_FSM

R_ΘJC

T_J, T_STG

0.95

°C/W

°C

Operating junction and storage temperature range

–55 to +175

Notes: (1) Non-repetitive current pulse derated above T_A=25°C

8/28/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SM6S30A-AL	JJM	获取价格	车规瞬态电压抑制二极管
SM6S30A-AU	PANJIT	获取价格	DO-218AB
SM6S30A-E3/2D	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SM6S30AHE3/2D	VISHAY	获取价格	DIODE 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAG
SM6S30AHE3_A/I	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SM6S30CA	SUNMATE	获取价格	4600W patch TVS transient suppression diode DO-218 30V
SM6S30HE3/2D	VISHAY	获取价格	DIODE 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAG
SM6S30HE3_A/I	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 4600W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SM6S33	VISHAY	获取价格	Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors
SM6S33/2E	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Unidirectional,

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