SM6G45

更新时间： 2024-02-25 06:47:43

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东芝 - TOSHIBA		栅极触发装置三端双向交流开关局域网
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描述
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

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SM6G45 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	4 V/us	最大直流栅极触发电流：	20 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	50 mA
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	2 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	6 A	重复峰值关态漏电流最大值：	2000 µA
断态重复峰值电压：	400 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

SM6G45 数据手册

SM6G45,SM6J45,SM6G45A,SM6J45A

TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SM6G45,SM6J45,SM6G45A,SM6J45A

AC POWER CONTROL APPLICATIONS

Unit: mm

l Repetitive Peak Off−State Voltage : V

l R.M.S ON−State Current

l High Commutating (dv / dt)

= 400, 600V

DRM

= 6A

T (RMS)

: I

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

SM6G45

SYMBOL

RATING

UNIT

400

600

SM6G45A

Repetitive Peak Off−

DRM

State Voltage

SM6J45

SM6J45A

R.M.S On−State Current

T (RMS)

(Full Sine Waveform Tc = 104°C)

60 (50Hz)

66 (60Hz)

Peak One Cycle Surge On−State

Current (Non−Repetitive)

TSM

JEDEC

TO−220AB

I t Limit Value

I t

A s

JEITA

―

Critical Rate of Rise of On−State

di / dt

A / µs

TOSHIBA

Weight: 2.0g

13−10G1A

Current

Peak Gate Power Dissipation

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Voltage

0.5

G (AV)

Peak Gate Current

Junction Temperature

−40~125

°C

Storage Temperature Range

stg

2001-07-13

12 3 4 5

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