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SM5Z14A

更新时间： 2024-02-17 12:18:12

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优恩 - UNSEMI		测试光电二极管
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Surface Mount Transient Voltage Suppressors

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SM5Z14A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.92	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	2.5 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0	膝阻抗最大值：	75 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	14 V
最大反向电流：	1 µA	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：	9.8 mV/ °C	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	100 mA	Base Number Matches：	1

SM5Z14A 数据手册

Surface Mount Transient Voltage Suppressors

SM5Z Series 14 To 36 V 3600W

Description

The SM5Z series is designed specifically to protect sensitive

electronic equipment from voltage transients induced by lightning

and other transient voltage events.

Working Voltage: 14 to 36 V

Peak Pulse Power: 3600 W

Features



Glass passivated chip

3600 W peak pulse power capability with a

10/1000 us waveform, repetitive rate (duty

cycle):0.01 %

Mechanical Data



Case: DO-218AB

Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant



T J = 175 °C capability suitable for high reliability

and automotive requirement

Meets ISO7637-2 surge specification (varied by test

condition)Meet AEC-Q101 requirement

Low leakage



Polarity: Heatsink is anode

Primary Characteristics

V_RWM

P_PPM(10/1000µs)

P_PPM(10/10000µs)

P _D

14V to 43V

3600W

2800W



Uni-directional polarity

Excellent clamping capability

Very fast response time

I _FSM

500A

RoHS compliant

T _{J max.}

175°C

Applications

Package

DO-218AB

Use in sensitive electronics protection against voltage transients

induced by inductive load switching and lighting, especially for

automotive load dump protection application

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T A =25 ℃ unless otherwise noted)

Parameter

with 10/1000µs waveform

with 10/10000µs waveform

Symbol

P_PPM

Value

3600

2800

Units

Peak Pulse Power Dissipation

Power Dissipation on Infinite Heat Sink at T_L=25°C (Fig.1)

Peak Pulse Current with a 10/1000µs waveform

P_D

I _PP

See Next Table

500

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine Wave

I _FSM

T _J, T _STG

Operating junction and storage temperature range

Typical thermal resistance, junction to case

–55 to +175

°C

R _θJC

0.90

°C /Watt

Note:(1)Non-repetitive current pulse per Fig.3 and derated above T A = 25 °C per Fig.1

UN Semiconductor Co., Ltd.

www.unsemi.com.tw

@ UN Semiconductor Co., Ltd. 2013

Specifications are subject to change without notice.

Revision February 2, 2015

1 / 4

Please refer to www.unsemi.com.tw for current information.

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