Datasheet > SM5S26A2E

SM5S26A2E

更新时间： 2024-01-27 21:44:34

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	62K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 2800W, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-218AB

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SM5S26A2E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PSSO-C1
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.59
其他特性：	PATENTED DEVICE	最大击穿电压：	31.9 V
最小击穿电压：	28.9 V	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-218AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-C1	最大非重复峰值反向功率耗散：	2800 W
元件数量：	1	端子数量：	1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	26 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SM5S26A2E 数据手册

SM5S Series

Surface Mount Automotive

Transient Voltage Suppressors

Stand-off Voltage 10 to 36V

Peak Pulse Power 3600W (10/1000µs)

2800W (10/10,000µs)

DO-218AB

0.628(16.0)

0.592(15.0)

0.539(13.7)

0.524(13.3)

0.116(3.0)

0.093(2.4)

Mounting Pad Layout

0.413(10.5) 0.342(8.7)

0.374(9.5) 0.327(8.3)

0.091(2.3)

0.067(1.7)

0.116(3.0)

0.413(10.5)

0.093(2.4)

0.366(9.3)

0.343(8.7)

0.374(9.5)

0.406(10.3)

0.382(9.7)

Dimensions in

inches and (millimeters)

0.150(3.8)

0.126(3.2)

0.366(9.3)

0.343(8.7)

LEAD 1

0.138(3.5)

0.098(2.5)

0.606(15.4)

0.583(14.8)

0.197(5.0)

0.185(4.7)

Patent #’s:

4,980,315

5,166,769

5,278,095

0.028(0.7)

0.020(0.5)

0.016 (0.4) Min.

0.098(2.5)

0.059(1.5)

LEAD 2/METAL HEATSINK

Features

• Ideally suited for load dump protection

Mechanical Data

Case: Molded plastic body, surface mount with heatsink

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

integrally mounted in the encapsulation

• High temperature stability due to unique oxide passivation

and patented PAR^®construction

Terminals: Plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Heatsink is anode

• Integrally molded heatsink provides a very low thermal

resistance for maximum heat dissipation

Mounting Position: Any

Weight: 0.091oz., 2.58g

Packaging codes/options:

• Low leakage current at T_J= 175°C

• High temperature soldering guaranteed:

260°C for 10 seconds at terminals

2D/750 per 13” Reel (16mm Tape),

anode towards sprocket hole, 4.5K/box

2E/750 per 13” Reel (16mm Tape),

cathode towards sprocket hole, 4.5K/box

• Meets ISO7637-2 surge spec.

• Low forward voltage drop

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak pulse power dissipation with 10/1000µs waveform

10/10,000µs waveform

3600

2800

P_PPM

Steady state power dissipation

P_D

I_PPM

5.0

See Table 1

500

Peak pulse current with a 10/1000µs waveform⁽¹⁾

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

Typical thermal resistance junction to case

Operating junction and storage temperature range

I_FSM

R_θJC

1.0

°C/W

°C

T_J, T_STG

–55 to +175

Notes: (1) Non-repetitive current pulse derated above T_A= 25°C

8/28/01

12 3

下载PDF

与SM5S26A2E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SM5S26A-AU	PANJIT	DO-218AB	获取价格
SM5S26AD	SOCAY	Surface Mount Transient Voltage Suppressors (TVS)	获取价格
SM5S26AHE3/2D	VISHAY	DIODE 3600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-218AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAG	获取价格
SM5S26AQ	YANGJIE	DO-218AB	获取价格
SM5S26ATHE3/I	VISHAY	TVS DIODE 26V 42.1V DO218AC	获取价格
SM5S26A-TP	MCC	Trans Voltage Suppressor Diode,	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SM5S26A2E

SM5S26A2E 技术参数

SM5S26A2E 数据手册

与SM5S26A2E相关器件

与SM5S26A2E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SM5S26A2E

SM5S26A2E 技术参数

SM5S26A2E 数据手册

与SM5S26A2E相关器件

与SM5S26A2E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？