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SM4M64DT-7.5 PDF预览

SM4M64DT-7.5

更新时间： 2024-11-12 08:08:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 91K
描述
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 4.5ns, CMOS, PDMA168,

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SM4M64DT-7.5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：DIMM, DIMM168Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83最长访问时间：4.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDMA-N168内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度：64
端子数量：168字数：4194304 words
字数代码：4000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048子类别：DRAMs
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

SM4M64DT-7.5 数据手册

 浏览型号SM4M64DT-7.5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SM4M64DT-7.5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SM4M64DT-7.5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SM4M64DT-7.5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SM4M64DT-7.5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SM4M64DT-7.5的Datasheet PDF文件第7页 
168-pin Enhanced SDRAM DIMM  
8MB, 16MB, 32MB DIMM  
Preliminary Data Sheet  
Pin Assignments  
Features  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
•
•
•
•
•
•
JEDEC Standard 168-pin SDRAM DIMM  
PC-100 Spec Compliant – Lowest Latency  
Single 3.3V ± 0.3V Power Supply  
Unbuffered  
Fully Synchronous Operation  
Sustained Random Burst Reads (Same Bank Access)  
1
Vss  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
Vdd  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
Vss  
DU  
85  
86  
Vss  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
Vdd  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
139  
140  
141  
142  
143  
144  
145  
146  
147  
148  
149  
150  
151  
152  
153  
154  
155  
156  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
164  
165  
166  
167  
168  
Vss  
CKE0  
S3#  
2
3
S2#  
87  
4
DQMB2  
DQMB3  
DU  
88  
DQMB6  
DQMB7  
RFU  
Vdd  
5
89  
6
90  
•
•
1-1-1-1 at 66MHz (CL=1)  
2-1-1-1 at 133MHz (CL=2)  
7
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
Vss  
Vdd  
91  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ40  
Vss  
8
NC  
92  
NC  
•
•
•
•
•
Programmable Burst Lengths: 1, 2, 4, 8, or Full page  
Early Auto-Precharge and Auto-Refresh Modes  
64ms, 2048 Cycle Refresh  
LVTTL Compatible Inputs and I/Os  
On-Board Serial Presence Detect (SPD) EEPROM with  
Write Protect Input  
9
NC  
93  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
NC  
94  
NC  
NC  
95  
NC  
Vss  
96  
Vss  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
Vdd  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
Vdd  
97  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
Vdd  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
Vdd  
98  
Description  
99  
The Enhanced SDRAM (ESDRAM) DIMMs are low  
latency, high performance memory modules of 8, 16, and 32  
MByte capacities, and are organized x64 bits wide. The  
DIMMs are 100% pin, function, and timing compatible with  
JEDEC standard 168-pin SDRAM DIMMs. The 8MB and  
16MB DIMMs employ a single physical bank of memory  
while the 32MB DIMMs are built as two physical banks.  
Within each physical bank of memory are two logical banks,  
which are accessed through the use of BA0 (pin 122). All  
control, access, and data input signals are registered into  
each of the ESDRAM components through use of an  
external clock, CK0-CK3. The rising edge of the clock is  
used as the timing reference for all inputs and outputs.  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
DQ20  
NC  
DQ52  
NC  
DQ14  
DQ15  
NC  
DQ46  
DQ47  
NC  
NC  
NC  
CKE1  
Vss  
NC  
NC  
NC  
Vss  
Vss  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
Vss  
Vss  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
Vss  
NC  
NC  
NC  
NC  
Vdd  
Vdd  
WE#  
DQMB0  
DQMB1  
S0#  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
Vdd  
CAS#  
DQMB4  
DQMB5  
S1#  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
Vdd  
ESDRAM DIMMs provide pipelined burst SRAM  
performance up to 66MHz and nearly the same at bus speeds  
up to 133MHz. The speed grade of each DIMM is specified  
to real system operation. No de-rating is necessary. For  
example, the 10ns DIMM operates at 100MHz in CL=2  
mode, and the 7.5ns DIMM operates at 66MHz in CL=1  
mode and up to 133MHZ in CL=2 mode.  
DU  
RAS#  
Vss  
Vss  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
Vss  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
Vss  
A0  
A1  
All ESDRAM DIMMs operate from a 3.3V power supply,  
and all inputs and outputs are LVTTL compatible. See the  
ESDRAM component data sheet for a more detailed  
discussion of ESDRAM specifications and functional  
operation.  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
CK2  
A9  
CK3  
A10/AP  
RFU  
Vdd  
NC  
BA0  
NC  
WP  
RFU  
Vdd  
SA0  
SDA  
SCL  
SA1  
Vdd  
CK1  
SA2  
CK0  
Vdd  
RFU  
Vdd  
Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921  
PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com  
1999 Enhanced Memory Systems. All rights reserved.  
The information contained herein is subject to change without notice.  
Revision 3.1  
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1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM4M72DT-10 RAMTRON

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