SM3JZ47

更新时间： 2024-11-14 22:14:19

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东芝 - TOSHIBA		栅极三端双向交流开关局域网
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描述
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

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SM3JZ47 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	20 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	最大维持电流：	30 mA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	0.02 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	3 A
重复峰值关态漏电流最大值：	20 µA	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

SM3JZ47 数据手册

SM3GZ47,SM3JZ47

TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SM3GZ47,SM3JZ47

AC POWER CONTROL APPLICATIONS

Unit: mm

l Repetitive Peak Off−State Voltage : V

= 400, 600V

DRM

l R.M.S ON−State Current

l High Commutating (dv / dt)

l Isolation Voltage

: I

= 3A

T (RMS)

: V

ISOL

= 1500V AC

MAXIMUM RATINGS

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

UNIT

SM3GZ47

SM3JZ47

400

600

Repetitive Peak

DRM

Off−State Voltage

R.M.S On−State Current

T (RMS)

(Full Sine Waveform Tc = 110°C)

30 (50Hz)

33 (60Hz)

4.5

Peak One Cycle Surge On−State

TSM

Current (Non-Repetitive)

I t Limit Value (t = 1~10ms)

I t

A s

JEDEC

JEITA

―

Critical Rate of Rise of On−State

di / dt

A / µs

Current

(Note 1)

TOSHIBA

Weight: 1.7g

13−10H1A

Peak Gate Power Dissipation

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Voltage

0.5

G (AV)

Peak Gate Current

Note 1: di / dt test condition

= 0.5×Rated

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Isolation Voltage (AC, t = 1min.)

−40~125

1500

°C

DRM

stg

≤ 4.5A

≥ 10µs

≤ 250ns

ISOL

= I ×2.0

2001-07-13

12 3 4 5

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