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SM3G45

更新时间: 2024-11-14 22:14:11
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东芝 - TOSHIBA 栅极触发装置三端双向交流开关功率控制局域网
页数 文件大小 规格书
5页 216K
描述
AC POWER CONTROL APPLICATIONS

SM3G45 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:End Of Life零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.86
Is Samacsys:N外壳连接:MAIN TERMINAL 2
配置:SINGLE换向电压的临界上升率-最小值:10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us最大直流栅极触发电流:20 mA
最大直流栅极触发电压:1.5 V最大维持电流:30 mA
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:3 A
重复峰值关态漏电流最大值:20 µA断态重复峰值电压:400 V
子类别:TRIACs表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:TRIAC
Base Number Matches:1

SM3G45 数据手册

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SM3G45,SM3J45  
TOSHIBA BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE  
SM3G45,SM3J45  
AC POWER CONTROL APPLICATIONS  
Unit: mm  
l Repetitive Peak OffState Voltage : V  
l R.M.S ONState Current  
l High Commutating (dv / dt)  
= 400, 600V  
DRM  
= 3A  
T (RMS)  
: I  
MAXIMUM RATINGS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
V
SM3G45  
SM3J45  
400  
600  
Repetitive Peak  
V
DRM  
OffState Voltage  
R.M.S OnState Current  
I
3
A
A
T (RMS)  
(Full Sine Waveform Tc = 111°C)  
30 (50Hz)  
33 (60Hz)  
4.5  
Peak One Cycle Surge On-State  
I
TSM  
Current (NonRepetitive)  
2
2
2
I t Limit Value  
I t  
A s  
Critical Rate of Rise of  
On-State Current  
di / dt  
50  
A / µs  
JEDEC  
TO220AB  
JEITA  
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Voltage  
P
5
0.5  
W
W
V
GM  
TOSHIBA  
Weight: 2.0g  
1310G1A  
P
G (AV)  
V
10  
GM  
Peak Gate Current  
I
2
A
GM  
Junction Temperature  
T
40~125  
40~125  
°C  
°C  
j
Storage Temperature Range  
T
stg  
1
2001-07-13  

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