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SM12JZ47A

更新时间： 2024-10-01 22:32:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅极触发装置三端双向交流开关功率控制局域网
页数 文件大小 规格书
5页 201K
描述
AC POWER CONTROL APPLICATIONS

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SM12JZ47A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：End Of Life包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.21
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE换向电压的临界上升率-最小值：4 V/us
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：50 mAJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大漏电流：0.02 mA元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A重复峰值关态漏电流最大值：20 µA
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

SM12JZ47A 数据手册

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SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A  
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE  
SM12GZ47,SM12JZ47,SM12GZ47A,SM12JZ47A  
AC POWER CONTROL APPLICATIONS  
Unit: mm  
l Repetitive Peak off−State Voltage : V  
= 400, 600V  
DRM  
l R.M.S On−State Current  
l High Commutating (dv / dt)  
l Isolation Voltage  
: I  
= 12A  
T (RMS)  
: V  
Isol  
= 1500V AC  
MAXIMUM RATINGS  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
400  
UNIT  
V
SM12GZ47  
Repetitive Peak  
SM12GZ47A  
Off−State Voltage and  
Repetitive Peak  
V
DRM  
SM12JZ47  
600  
Reverse Voltage  
SM12JZ47A  
R. M. S. On−tate Current  
I
12  
A
A
T (RMS)  
(Full Sine Waveform TC = 72°C)  
120 (50Hz)  
132 (60Hz)  
Peak One Cylce Surge On−State  
Current (Non−Repetitive)  
I
TSM  
2
2
2
I t Limit Value  
I t  
72  
50  
A s  
JEDEC  
―
―
JEITA  
Critical Rate of Rise of On-State  
di / dt  
A / µs  
TOSHIBA  
Weight: 1.7g  
13−10H1A  
Current  
(Note 1)  
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Voltage  
P
5
0.5  
W
W
V
GM  
P
G (AV)  
V
10  
FGM  
Note 1: di / dt test condition  
= 0.5 × Rated  
Peak Gate Current  
I
2
A
V
DRM  
GM  
I
t
t
i
≤ 17A  
TM  
gw  
gr  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Isolation Voltage (AC, t = 1min.)  
T
j
−40~125  
−40~125  
1500  
°C  
°C  
V
≥ 10µs  
T
stg  
≤ 250ns  
V
= I × 2.0  
GT  
Isol  
gp  
1
2001-07-10  
12345

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SM12JZ47A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
T1220-600W STMICROELECTRONICS

功能相似

 600V, 12A, SNUBBERLESS TRIAC, PLASTIC, ISOWATT220AB, 3 PIN
BTA12-600CWRG STMICROELECTRONICS

功能相似

 12A TRIACS
SM12JZ47 TOSHIBA

功能相似

 AC POWER CONTROL APPLICATIONS

与SM12JZ47A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM12M12C PROTEC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 10 Element, Silicon
SM12OC UMW

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 		ESD/TVS 管
SM12PHN100 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 58A, 1200V V(RRM), Silicon,
SM12PHN170 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon,
SM12PHN174 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon,
SM12PHR100 IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 58A, 1200V V(RRM), Silicon,
SM12PHR170 IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon,
SM12PHR174 IXYS

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM), Silicon,
SM12-Q1 ANBON

获取价格

 		SOT-23
SM12S ETC

获取价格

 		Low Frequency Crystal

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