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SM12808DT-6.6

更新时间： 2024-02-23 06:09:38
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 153K
描述
Synchronous DRAM Module, 32MX64, 4.5ns, CMOS, DIMM-168

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SM12808DT-6.6 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM,
针数：168Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.75访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：4.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：2147483648 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
子类别：DRAMs最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：DUALBase Number Matches：1

SM12808DT-6.6 数据手册

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CAS2/150MHz HSDRAM  
64MB, 128MB DIMM  
Preliminary Data Sheet  
Features  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
•
•
JEDEC PC-133 SDRAM DIMM Compatible  
CAS 2 150MHz Modules (2:3:2) @ 150 MHz  
1
Vss  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
Vdd  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
Vss  
DNU  
S2#  
85  
86  
Vss  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
Vdd  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
139  
140  
141  
142  
143  
144  
145  
146  
147  
148  
149  
150  
151  
152  
153  
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156  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
164  
165  
166  
167  
168  
Vss  
CKE0  
S3#  
2
•
•
•
CAS Latency = 2  
RAS to CAS Delay = 3  
Precharge Delay = 2  
3
87  
4
DQMB2  
DQMB3  
DNU  
Vdd  
88  
DQMB6  
DQMB7  
RFU  
Vdd  
5
89  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Fast 4.5 ns Clock Access Time  
6
90  
Overclock Existing PC Systems to 150 MHz +  
Ideal for Low Cost 150 MHz Bus Speed Systems  
Supports CAS Latency = 2, 3  
On-board Serial Presence Detect (SPD)  
Unbuffered 168-pin DIMM  
7
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
Vss  
91  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ40  
Vss  
8
NC  
92  
NC  
9
NC  
93  
NC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
CB2  
94  
CB6  
4K Refresh / 64 ms  
CB3  
95  
CB7  
Single 3.3V ± 0.3V Power Supply  
Available on-line at http://www.pc133memory.com or  
http://www.mushkin.com  
Vss  
96  
Vss  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
Vdd  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
Vdd  
97  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
Vdd  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
Vdd  
98  
99  
Description  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
The Enhanced Memory Systems 64MB and 128MB CAS 2  
150MHz HSDRAM DIMMs are the fastest unbuffered  
SDRAM DIMMs available. Low latency (2:3:2) at 150 MHz  
improves performance in high-end desktop publishing and  
graphics applications, particularly with UMA system  
architectures. The fast 4.5 ns clock access time allows  
unbuffered DIMM operation at 150 MHz for lower memory  
latency, and lower costs than registered DIMMs.  
DQ20  
NC  
DQ52  
NC  
DQ14  
DQ15  
CB0  
CB1  
Vss  
DQ46  
DQ47  
CB4  
NC  
NC  
CKE1  
Vss  
NC  
CB5  
Vss  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
Vss  
Vss  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
Vss  
The 64MB module (SM6408DT-6.6) is organized as 8Mx64,  
and the 128MB module (SM12808DT-6.6) is organized as  
16Mx64. The 128MB ECC module (SM12809DT-6.6) is  
organized as 16Mx72. Each module contains a serial  
presence EEPROM programmed by Enhanced Memory  
Systems, which contains information on the module type,  
module organization, component speed, and other attributes  
relevant to the system controller.  
NC  
NC  
NC  
NC  
Vdd  
Vdd  
WE#  
DQMB0  
DQMB1  
S0#  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
Vdd  
CAS#  
DQMB4  
DQMB5  
S1#  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
Vdd  
DNU  
Vss  
RAS#  
Vss  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
Vss  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
Vss  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
CK2  
A9  
CK3  
A10/AP  
BA1  
Vdd  
NC  
BA0  
NC  
WP  
A11  
SA0  
SDA  
SCL  
Vdd  
SA1  
Vdd  
CK1  
SA2  
CK0  
Vdd  
RFU  
Vdd  
Enhanced Memory Systems Inc., 1850 Ramtron Dr., Colo Spgs, CO 80921  
PHONE: (800) 545-DRAM; FAX: (719) 488-9095; http://www.edram.com  
2000 Enhanced Memory Systems. All rights reserved.  
The information contained herein is subject to change without notice.  
Revision 1.0  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SM12808DT-7.5 RAMTRON Synchronous DRAM Module, 16MX64, 4.6ns, CMOS, PDMA168,

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SM12809DT-6.6 CYPRESS Synchronous DRAM Module, 16MX72, CMOS,

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