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SLVE3.3.TC

更新时间: 2024-11-18 20:11:03
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商升特 - SEMTECH 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 256K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Bidirectional, 1 Element, Silicon

SLVE3.3.TC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
其他特性:LOW CAPACITANCE最小击穿电压:4 V
最大钳位电压:5.9 V配置:SINGLE
最小二极管电容:100 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G4
最大非重复峰值反向功率耗散:300 W元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:BIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大反向电流:1 µA表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SLVE3.3.TC 数据手册

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