生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | FAST |
标称电路换相断开时间: | 20 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 250 mA |
最大直流栅极触发电压: | 4 V | 最大维持电流: | 400 mA |
JEDEC-95代码: | TO-200AB | JESD-30 代码: | O-CEDB-N2 |
最大漏电流: | 80 mA | 通态非重复峰值电流: | 8000 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大通态电流: | 430000 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 1100 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 80000 µA | 断态重复峰值电压: | 800 V |
重复峰值反向电压: | 800 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | END | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SKT431F10DS | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
SKT431F10DT | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1100A I(T)RMS, 430000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 | |
SKT490/04D | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 490000mA I(T), 400V V(DRM) | |
SKT490/08D | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 490000mA I(T), 800V V(DRM) | |
SKT491 | SEMIKRON |
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Line Thyristor | |
SKT491/04D | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 769.3A I(T)RMS, 490000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E | |
SKT491/04E | SEMIKRON |
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Line Thyristor | |
SKT491/08D | SEMIKRON |
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Silicon Controlled Rectifier, 769.3A I(T)RMS, 490000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 E | |
SKT491/12E | SEMIKRON |
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Line Thyristor | |
SKT491/14E | SEMIKRON |
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Line Thyristor |