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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKT130/04D
SKT130/04D PDF预览

SKT130/04D

更新时间： 2024-11-24 02:58:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
4页 628K
描述
Line Thyristor

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SKT130/04D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-93
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：120 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：200 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：250 mAJEDEC-95代码：TO-209
JESD-30 代码：O-MUPM-H3JESD-609代码：e2
最大漏电流：50 mA通态非重复峰值电流：3500 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：300000 A最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：220 A断态重复峰值电压：400 V
重复峰值反向电压：400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKT130/04D 数据手册

 浏览型号SKT130/04D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKT130/04D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKT130/04D的Datasheet PDF文件第4页 
SKT 130 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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1
27-08-2003 IMP  
© by SEMIKRON  
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与SKT130/04D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT130/06C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 E
SKT130/06CUNF SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 220A I(T)RMS, 130000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele
SKT130/06D SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT130/08D SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT130/12C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
SKT130/12E SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT130/14E SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT130/16C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 130000mA I(T), 1600V V(DRM),
SKT130/16E SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT131AEL01 TE

获取价格

 		Key Switches, Medium Security

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