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SKT 10,3 Qu RG bond

更新时间： 2024-10-01 14:57:11

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
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SKT 10,3 Qu RG bond 数据手册

SKT 10,3 Qu RG bond.

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.2 mA

V_RRM

V_DRM

I_T(AV)

I_TSM

i²t

1600

T_j= 25 °C, I_D= 0.2 mA

T_c= 80 °C, T_j= 130 °C

T_j= 130 °C, 10 ms, sin 180°

1250

7810

130

A²s

T_jmax

°C

THYRISTOR

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

I_T(DC)= 125 A

T_j= 130 °C, I_T= 110 A

V_T

1.2

0.85

3.2

V_RRM= 1600 V

T_j= 130 °C

T_j= 25 °C

T_j= 115 °C

T_j= 130 °C

T_j= 25 °C

V_T(TO)

r_T

Size: 10,3 mm x 10,3 mm

mΩ

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

100

1.98

Corner gate

SKT 10,3 Qu RG bond.

0.25

220

550

Features

I_L

ꢀ high current density due to double

mesa technology

ꢀ high surge current

Dynamic Characteristics

Symbol Conditions

ꢀ compatible to thick wire bonding

ꢀ compatible to all standard solder

processes

min.

typ.

max.

Unit

T_j= 130 °C

t_q

150

µs

Typical Applications*

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

100

A/µs

V/µs

ꢀ conrolled rectifier circuits

ꢀ solid state relays

1000

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

T_j

-40

130

255

°C

T_stg

T_solder

°C

R_th(j-c)

Semipack 1 assembly

0.31

K/W

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

10.3 x 10.3

106.1

mm²

Area total

Anode

solderable (Ag/Ni)

Gate and

Cathode

bondable (Al)

Wire bond

Package

Al,diameter ≤ 500µm

tray

Chips /

Package

pcs

SKT

Rev. 0 – 19.02.2010

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