5秒后页面跳转

Datasheet > SKR031XP16B1F

SKR031XP16B1F PDF预览

SKR031XP16B1F

更新时间： 2023-12-06 20:11:12

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
页数	文件大小	规格书
3页	235K
描述
Chips

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKR031XP16B1F 数据手册

浏览型号SKR031XP16B1F的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号SKR031XP16B1F的Datasheet PDF文件第3页

SKR031XP16B1F

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.05 mA

T_c= 85 °C, T_j= 175 °C, sin 180°,

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

1600

64

V

A

R

_th(j-c)= 0.74 K/W

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

635

490

A

A

10 ms

sin 180°

T_j= 150 °C, 10 ms, sin 180°

i²t

T_jmax

1200

175

A²s

°C

DIODE

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

1)

min.

typ.

max.

Unit

I_F(DC)= 85 A

V_RRM= 1600 V

T_j= 25 °C, V_RRM

I_R

0.05

1.7

1.20

1.07

1.05

mA

mA

V

V

V

Size: 5.6 x 5.6 mm²

T_j= 150 °C, V_RRM

T_j= 25 °C, I_F= 26 A

T_j= 150 °C, I_F= 26 A

T_j= 175 °C, I_F= 26 A

T_j= 25 °C, 26 A, 100 V, 5.6 A/µs

T_j= 150 °C, 26 A, 100 V, 5.6 A/µs

T_j= 25 °C, 26 A, 100 V, 5.6 A/µs

T_j= 150 °C, 26 A, 100 V, 5.6 A/µs

V_F

0.97

0.84

0.82

6.4

6.8

81

SKR031XP16B1F

Features

t_rr

t_rr

Q_rr

Q_rr

µs

µs

µC

µC

• New Power Enhancing Passivation

technology

104

• T_jmax= 175°C

• High current density

• Enhanced environmental robustness

For power loss calculation only

Symbol Conditions

Typical Applications*

• uncontrolled rectifier bridges

min.

min.

typ.

max.

Unit

T_j= 150 °C

V_(TO)

V_(TO)

r_T

0.73

0.69

4.38

4.85

0.92

0.88

5.92

6.54

V

V

mΩ

mΩ

Approximation for:

Footnotes

T_j= 175 °C

T_j= 150 °C

T_j= 175 °C

I

_F1= 26 A

_F2= 78 A

¹⁾Current rating is dependent on thermal

characteristics (R_th) of module assembly.

Refer to Fig. 1 for further information

I

r_T

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

typ.

max.

Unit

T_j

T_stg

T_solder

T_solder

-40

-40

175

175

250

320

°C

°C

°C

°C

10 min.

5 min.

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Parameter

Values

Unit

Raster

size

Area total

Anode

5.6 x 5.6

mm²

mm²

31.36

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, diameter ≤ 500 µm

150 mm wafer on frame

Chips /

Package

470

pcs

SKR

© by SEMIKRON

Rev. 2.0 – 22.05.2017

1

12 3

下载PDF

与SKR031XP16B1F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SKR049XP16B1F	SEMIKRON	Chips	获取价格
SKR10	SEMIKRON	DIODE	获取价格
SKR10_10	SEMIKRON	DIODE	获取价格
SKR100	NAINA	Standard Recovery Diodes (Stud and Flat Base Type), 125A	获取价格
SKR100	LIUJING	可控硅、晶闸管	获取价格
SKR100/02	SEMIKRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, HERMETIC SEALED	获取价格

与SKR031XP16B1F相关文章

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证