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SKN400/36

更新时间: 2024-11-07 09:26:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 高压二极管
页数 文件大小 规格书
3页 1445K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 445A, 3600V V(RRM), Silicon,

SKN400/36 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.83其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.45 V
JESD-30 代码:O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流:7500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:160 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:445 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:3600 V
最大反向电流:60000 µA表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER

SKN400/36 数据手册

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SKN 400, SKR 400  
IFRMS = 700 A (maximum value for continuous operation)  
IFAV = 400 A (sin. 180; Tc = 100 ºC)  
VRSM  
V
VRRM  
V
1800  
2000  
2400  
2700  
3000  
3600  
1800  
2000  
2400  
2700  
3000  
3600  
SKN 400/18  
SKN 400/20  
SKN 400/24  
SKN 400/27  
SKN 400/30  
SKN 400/36  
SKR 400/18  
SKR 400/20  
SKR 400/24  
SKR 400/27  
SKR 400/30  
SKR 400/36  
Stud Diode  
Symbol  
Condition  
Values  
Units  
Rectifier Diode  
IFAV  
ID  
sin. 180 ; TC = 85 (100) ºC  
K 0,55; Ta = 45 ºC; B2 / B6  
K 0,55F; Ta = 35 ºC; B2 / B6  
445 (400)  
310 / 450  
700 / 1000  
A
A
A
SKN 400  
SKR 400  
IFSM  
i2t  
Tvj = 25º C ; 10 ms  
9000  
7500  
400000  
280000  
A
Tvj = 160º C ; 10 ms  
Tvj = 25º C ; 8,3...10 ms  
Tvj = 160º C ; 8,3...10 ms  
A
Features  
A2s  
A2s  
Reverse voltages up to 3600 V  
Hermetic metal cases with  
glass insulator  
VF  
V(TO)  
rT  
Tvj = 25º C, IF = 1200 A  
Tvj = 160º C  
Tvj = 160º C  
max. 1,45  
max. 0,9  
max. 0,5  
max. 60  
typ. 400  
V
V
Threaded stud M24 x 1,5 mm.  
SKN: anode to stud  
SKR: cathode to stud  
m  
mA  
µC  
IRD  
Qrr  
Tvj = 160º C ; VR = VRRM  
Tvj = 160°C, -diF/dt = 10 A/µs  
Typical Applications *  
K/W  
K/W  
°C  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
Tvj  
0,11  
0,01  
-40...+160  
-55...+160  
High voltage rectifier diode,  
especially for traction  
applications  
Tstg  
°C  
Cooling via heatsinks  
Non-controllable and half-  
controllable rectifiers  
Free-wheeling diodes  
Recommended snubber  
network:  
Visol  
Ms  
-
60  
531  
V~  
Nm  
lb.in.  
m/s2  
g
to heatsink (SI units)  
to heatsink (US units)  
a
m
5 * 9,81  
500  
approx.  
RC: 1,0 µF, 20 (PR = 5W),  
Rp: 25 K(PR = 20 W)  
Case  
E 17  
SKN  
SKR  
1
2015-12-07 RP  
© by SEMIKRON  

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