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SKM400GB07E3

更新时间： 2023-12-20 18:45:35
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 578K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)

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SKM400GB07E3 数据手册

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SKM400GB07E3  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
650  
506  
381  
400  
1200  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3 x ICnom  
VCC = 360 V  
SEMITRANS® 3  
Trench IGBT Modules  
SKM400GB07E3  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 650 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
6
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
650  
447  
324  
V
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
400  
800  
2646  
-40 ... 175  
A
A
A
°C  
Features*  
IFRM = 2 x IFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability, self limiting  
to 6 x Icnom  
• Fast & soft switching inverse CAL  
diodes  
• Insulated copper baseplate using DCB  
Technology (Direct Copper Bonding)  
• With integrated gate resistor  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
500  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
module without TIM  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
Visol  
Characteristics  
Typical Applications  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• AC inverter drives  
• UPS  
• Electronic welders  
IC = 400 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.45  
1.70  
1.92  
2.10  
V
V
V
GE = 15 V  
Remarks  
• Case temperature limited  
to Tc = 125°C max.  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.90  
0.82  
1.38  
2.2  
1.00  
0.90  
2.3  
3.0  
6.4  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
chiplevel  
• Recommended Top = -40 ... +150°C  
• Product reliability results valid  
for Tj = 150°C  
VGE = 15 V  
chiplevel  
• Use of soft RG necessary  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
VGE=VCE, IC = 6.4 mA  
VGE = 0 V, VCE = 650 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5.1  
5.8  
0.8  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
24.7  
1.54  
0.73  
3200  
1.0  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 300 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
190  
60  
4
850  
50  
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
I
C = 400 A  
V
GE = +15/-7.5 V  
Eon  
td(off)  
tf  
R
R
G on = 1 Ω  
G off = 4.2 Ω  
di/dton = 7000 A/µs  
di/dtoff = 5000 A/µs  
dv/dt = 2200 V/µs  
Ls = 18 nH  
Tj = 150 °C  
Eoff  
17  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
0.12  
K/W  
K/W  
0.04  
per IGBT, pre-applied phase change  
material  
Rth(c-s)  
0.033  
K/W  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 3.0 – 20.04.2020  
1
123456

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SKM400GB123D SEMIKRON

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