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SKM1000GB17R8

更新时间： 2024-11-21 14:56:03
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 1108K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 10 (250x90x38)

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SKM1000GB17R8 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
Base Number Matches：1

SKM1000GB17R8 数据手册

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SKM1000GB17R8  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1700  
1574  
1027  
1000  
2000  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 100 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 2 x ICnom  
VCC = 1200 V  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 10  
IGBT R8 Modules  
SKM1000GB17R8  
Features*  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 1700 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1700  
1449  
905  
1000  
2000  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 100 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2 x IFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• Symmetrical current sharing  
• Low-inductive module design  
• High mechanical robustness  
• UL recognized, file no. E63532  
6240  
-40 ... 175  
A
°C  
Module  
Tstg  
-40 ... 150  
4000  
°C  
V
Typical Applications  
• Motor Drives  
• UPS Systems  
• Solar Inverters  
Visol  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Remarks  
Recommended Tjop = -40 ... +150°C  
IC = 1000 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.66  
2.01  
1.99  
2.33  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
1.06  
0.95  
0.60  
1.06  
5.8  
1.12  
1.05  
0.87  
1.28  
6.5  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
VGE=VCE, IC = 36 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1700 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5
6.0  
90.0  
3.00  
0.24  
5640  
1.8  
476  
105  
465  
713  
158  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = -15V / +15V  
Tj = 25 °C  
VCC = 900 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
I
C = 1000 A  
V
GE = +15/-15 V  
Eon  
td(off)  
tf  
R
R
G on = 0.7 Ω  
G off = 0.7 Ω  
di/dton = 7.8 kA/µs  
di/dtoff = 4.8 kA/µs  
dv/dt = 4600 V/µs  
Ls = 24 nH  
Tj = 150 °C  
Eoff  
332  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
0.03  
K/W  
K/W  
0.016  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 4.0 – 28.05.2020  
1
1234567

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