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SKKH57/06D

更新时间： 2024-11-24 22:17:35
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 413K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKH57/06D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-240AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
标称电路换相断开时间：80 µs配置：SINGLE WITH BUILT-IN SERIES DIODE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：3 V快速连接描述：G-GR
螺丝端子的描述：A-K-AK最大维持电流：250 mA
JEDEC-95代码：TO-240AAJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2最大漏电流：15 mA
通态非重复峰值电流：1500 A元件数量：1
端子数量：7最大通态电流：55000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：94.2 A
重复峰值关态漏电流最大值：15000 µA断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKKH57/06D 数据手册

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SEMIPACK® 1  
Thyristor / Diode Modules  
VRSM VRRM (dv/  
VDRM dt)cr  
ITRMS (maximum value for continuous operation)  
95 A  
ITAV (sin. 180; Tcase = 74°C)  
60 A  
V
V
V/µs  
500 400 500  
700 600 500 SKKT 56/06 D SKKT 57/06 D  
SKKT 56  
SKKT 57  
SKKT 57B  
SKKH 56  
SKKH 57  
–
–
SKKH 56/04 D  
–
SKKH 56/06 D SKKH 57/06 D  
900 800 500 SKKT 56/08 D SKKT 57/08 D1) SKKH 56/08 D SKKH 57/08 D  
1300 1200 1000 SKKT 56/12 E SKKT 57/12 E1) SKKH 56/12 E SKKH 57/12 E  
1500 1400 1000 SKKT 56/14 E SKKT 57/14 E1) SKKH 56/14 E SKKH 57/14 E  
1700 1600 1000 SKKT 56/16 E SKKT 57/16 E1) SKKH 56/16 E SKKH 57/16 E  
1900 1800 1000 SKKT 56/18 E SKKT 57/18 E1) SKKH 56/18 E SKKH 57/18 E  
2100 2000 1000 SKKT 56/20 E SKKT 57/20 E1)  
2300 2200 1000 SKKT 56/22 E SKKT 57/22 E1)  
–
–
SKKH 57/20 E  
SKKH 57/22 E  
SKKT 56 SKKT 57  
SKKH 56 SKKT 57B Units  
SKKH 57  
Symbol Conditions  
ITAV  
ID  
sin. 180; Tcase = 74 °C  
60  
55  
57 / 68  
A
A
A
A
A
T
T
T
T
case = 80 °C  
B2/B6  
amb = 45 °C; P 3/180  
amb = 35 °C; P 3/180 F  
amb = 35 °C; P 3/180 F  
100 / 130  
130 / 3 x 100  
IRMS  
ITSM  
W1/W3  
1 500  
1 250  
11 000  
8 000  
A
A
A2s  
A2s  
Tvj = 25 °C; 10 ms  
Tvj = 125 °C; 10 ms  
Tvj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms  
i2t  
SKKT 56  
SKKH 56  
SKKH 57  
tgd  
tgr  
Tvj = 25 °C; IG = 1 A;  
diG/dt = 1 A/µs  
1
2
µs  
µs  
SKKT 57  
VD = 0,67 . VDRM  
SKKT 57B  
(di/dt)cr  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 25 °C; typ./max.  
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ω; typ./max.  
150  
typ. 80  
150 / 250  
300 / 600  
A/µs  
µs  
mA  
mA  
tq  
IH  
IL  
Features  
VT  
VT(TO)  
rT  
Tvj = 25 °C; IT = 200 A  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C; VRD = VRRM  
VDD = VDRM  
max. 1,65  
0,9  
V
V
mΩ  
• Heat transfer through aluminium  
oxide ceramic isolated metal  
baseplate  
• Hard soldered joints for high  
reliability  
3,5  
IDD; IRD  
max. 15 3)  
mA  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 125 °C; d.c.  
Tvj = 125 °C; d.c.  
3
150  
0,25  
6
V
mA  
V
• UL recognized, file no. E 63 532  
Typical Applications  
mA  
• DC motor control (e.g. for  
machine tools)  
Rthjc  
cont.  
0,57 / 0,29  
0,60 / 0,30  
0,64 / 0,32  
0,2 / 0,1  
– 40 ... + 125  
– 40 ... + 125  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
sin. 180  
rec. 120  
per thyristor /  
per module  
• AC motor soft starters  
• Temperature control (e.g. for  
ovens, chemical processes)  
• Professional light dimming  
(studios, theaters)  
Rthch  
Tvj  
Tstg  
°C  
Visol  
M1  
M2  
a
a. c. 50 Hz; r.m.s; 1 s/1 min  
to heatsink  
SI (US) units  
to terminals  
3600 / 3000  
5 (44 lb. in.) + 15 %2)  
3 (26 lb. in.) + 15 %  
5 . 9,81  
V~  
Nm  
Nm  
m/s2  
g
w
approx.  
95  
1) Also available in SKKT 57B  
configuration (case A 48)  
2) See the assembly instructions  
3) /20 E, /22 E max. 30 mA  
Case  
→ page B 1 – 95  
SKKT 56: A 5  
SKKH 56: A 6  
SKKT 57: A 46  
SKKT 57B: A 48  
SKKH 57: A 47  
© by SEMIKRON  
0898  
B 1 – 43  
12345

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与SKKH57/06D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKH57/08D SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKH57/08E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 95A I(T)RMS, 50000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Eleme
SKKH57/12E SEMIKRON

获取价格

 		Thyristor / Diode Modules
SKKH57/14E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKH57/16E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKH57/16EG6 SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, SEMIP
SKKH57/18E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKH57/18EG6 SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, SEMIPACK 1, 5 PIN
SKKH57/20E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKH57/20EH4 SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 95A I(T)RMS, 50000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Ele

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