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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKKH27/14E
SKKH27/14E PDF预览

SKKH27/14E

更新时间： 2024-02-19 21:39:44
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
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4页 954K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKH27/14E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-240
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.72其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED标称电路换相断开时间：80 µs
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：G-GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：200 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X5
JESD-609代码：e2最大漏电流：10 mA
通态非重复峰值电流：470 A元件数量：1
端子数量：5最大通态电流：25000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：50 A
重复峰值关态漏电流最大值：10000 µA断态重复峰值电压：1400 V
重复峰值反向电压：1400 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKKH27/14E 数据手册

 浏览型号SKKH27/14E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKKH27/14E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKKH27/14E的Datasheet PDF文件第4页 
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SKKT  
SKKH  
1
03-01-2005 NOS  
© by SEMIKRON  
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与SKKH27/14E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKH27/16E SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKH27/18E SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 50A I(T)RMS, 25000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Ele
SKKH273 SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKH273/12E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 450A I(T)RMS, 273000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E
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SKKH30/08E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 305000mA I(T), 800V V(RRM)
SKKH30/12E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 305000mA I(T), 1200V V(RRM)

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