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SKKH213/18E

更新时间: 2024-01-15 22:55:40
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 1125K
描述
Thyristor / Diode Modules

SKKH213/18E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-240
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V快速连接描述:G-GR
螺丝端子的描述:A-K-AK最大维持电流:500 mA
JESD-30 代码:R-XUFM-X5JESD-609代码:e2
最大漏电流:50 mA通态非重复峰值电流:8500 A
元件数量:1端子数量:5
最大通态电流:213000 A最高工作温度:130 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:370 A断态重复峰值电压:1800 V
重复峰值反向电压:1800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

SKKH213/18E 数据手册

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SKKT 213, SKKH 213 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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Symbol Conditions  
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SKKT  
SKKH  
1
01-03-2007 GIL  
© by SEMIKRON  

与SKKH213/18E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SKKH213/20E SEMIKRON Silicon Controlled Rectifier, 370A I(T)RMS, 213000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 E

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SKKH213/22E SEMIKRON Silicon Controlled Rectifier, 370A I(T)RMS, 213000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 E

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SKKH250 SEMIKRON Thyristor / Diode Modules

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SKKH250/14E SEMIKRON Silicon Controlled Rectifier, 420A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E

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SKKH250/16E ISC Thyristor/Diode Modules

获取价格

SKKH250/18E SEMIKRON Silicon Controlled Rectifier, 420A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 E

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