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SKHI10/12 PDF预览

SKHI10/12

更新时间： 2024-11-05 03:31:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 驱动器双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 74K
描述
High Power IGBT Driver

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SKHI10/12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.78内置保护：OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-XXMA-X
功能数量：1最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大供电电压：15.6 V最小供电电压：14.4 V
标称供电电压：15 V表面贴装：NO
温度等级：OTHER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SKHI10/12 数据手册

  
SKHI 10/12  
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1
07-06-2005 SCT  
© by SEMIKRON  
1

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与SKHI10/12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKHI10/12R SEMIKRON

获取价格

 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver,
SKHI10/17 SEMIKRON

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 		High Power IGBT Driver
SKHI10/17R SEMIKRON

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 		Buffer/Inverter Based Peripheral Driver,
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