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SKCD81C170I4F PDF预览

SKCD81C170I4F

更新时间： 2024-11-14 15:51:19
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 162K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 150A, 1700V V(RRM),

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SKCD81C170I4F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.92 V最大非重复峰值正向电流：860 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：150 A最大重复峰值反向电压：1700 V
子类别：Rectifier DiodesBase Number Matches：1

SKCD81C170I4F 数据手册

 浏览型号SKCD81C170I4F的Datasheet PDF文件第2页 
SKCD 81 C 170 I4F  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C, IR = 0.11 mA  
VRRM  
IFSM  
1700  
950  
860  
V
A
A
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
10 ms  
sin 180°  
Tj = 150 °C, tp = 10 ms, sin 180°  
i²t  
Tjmax  
3698  
175  
A²s  
°C  
Electrical Characteristics  
Symbol Conditions  
CAL-DIODE  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IF = 150 A 1)  
Tc = 80 °C, Tj = 175 °C, Fi=PI/2,  
IF(AV)  
IR  
107  
A
Semitrans Assembly; Rth(j-c) = 0.32 K/W  
Tj = 25 °C, VRRM = 1700 V  
Tj = 150 °C, VRRM = 1700 V  
Tj = 25 °C, IF = 89 A  
Tj = 150 °C, IF = 89 A  
Tj = 175 °C, IF = 89 A  
Tj = 150 °C  
VRRM = 1700 V  
Size: 9 x 9 mm²  
0.11  
40.00  
2.04  
1.99  
1.92  
1.22  
8.65  
1.19  
8.20  
mA  
mA  
V
V
V
V
m  
V
VF  
1.71  
1.69  
1.61  
1.08  
6.85  
1.01  
6.74  
SKCD 81 C 170 I4F  
V(TO)  
rT  
V(TO)  
rT  
Features  
Tj = 150 °C  
Tj = 175 °C  
Tj = 175 °C  
• max. junction temperature 175 °C  
• low forward voltage drop  
• soft reverse recovery behavior  
• low switching losses  
m  
Dynamic Characteristics  
Symbol Conditions  
Typical Applications*  
• freewheeling diode for IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Footnotes  
Tj = 25 °C, 150 A, 1200 V, 3000 A/µs  
Err  
Err  
Qrr  
Qrr  
Irrm  
Irrm  
15  
31.5  
24  
45  
143  
180  
mJ  
mJ  
µC  
µC  
A
1) Nominal IGBT IF rating,  
Tj = 150 °C, 150 A, 1200 V, 3000 A/µs  
Tj = 25 °C, 150 A, 1200 V, 3000 A/µs  
Tj = 150 °C, 150 A, 1200 V, 3000 A/µs  
Tj = 25 °C, 150 A, 1200 V, 3000 A/µs  
Tj = 150 °C, 150 A, 1200 V, 3000 A/µs  
verified by design and characterization  
A
Thermal Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj  
Tstg  
Tsolder  
Tsolder  
-40  
-40  
175  
175  
250  
320  
°C  
°C  
°C  
°C  
10 min.  
5 min.  
Mechanical Characteristics  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Raster  
size  
Area total  
9 x 9  
mm2  
mm²  
81  
Anode  
Metallization  
Metallization  
bondable (Al)  
Cathode  
Wire bond  
Package  
solderable (Ag/Ni)  
Al, typ. diameter = 300 µm  
150 mm wafer frame  
Chips /  
Package  
179  
pcs  
SKCD  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 27.02.2013  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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