5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SKCD81C065I4F
SKCD81C065I4F PDF预览

SKCD81C065I4F

更新时间： 2024-11-14 20:10:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 171K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 200A, 650V V(RRM),

阅读下载

中文翻译

获取价格

SKCD81C065I4F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.49 V最大非重复峰值正向电流：1290 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：200 A最大重复峰值反向电压：650 V
子类别：Rectifier DiodesBase Number Matches：1

SKCD81C065I4F 数据手册

 浏览型号SKCD81C065I4F的Datasheet PDF文件第2页 
SKCD 81 C 065 I4F  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C, IR = 0.15 mA  
VRRM  
IFSM  
650  
1470  
1290  
8321  
175  
V
A
A
A²s  
°C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
10 ms  
sin 180°  
Tj = 150 °C, tp = 10 ms, sin 180°  
i²t  
Tjmax  
Electrical Characteristics  
Symbol Conditions  
CAL-DIODE  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IF = 200 A 1)  
Tc = 80 °C, Tj = 175 °C, Fi=PI/2,  
IF(AV)  
IR  
139  
A
Semitrans Assembly; Rth(j-c) = 0.4 K/W  
Tj = 25 °C, VRRM = 650 V  
Tj = 150 °C, VRRM = 650 V  
Tj = 25 °C, IF = 148 A  
Tj = 150 °C, IF = 148 A  
Tj = 175 °C, IF = 148 A  
Tj = 150 °C  
VRRM = 650 V  
Size: 9 x 9 mm²  
0.15  
44.00  
1.62  
1.56  
1.49  
0.99  
3.85  
0.95  
3.65  
mA  
mA  
V
V
V
V
m  
V
VF  
1.30  
1.24  
1.18  
0.85  
2.64  
0.78  
2.68  
SKCD 81 C 065 I4F  
V(TO)  
rT  
V(TO)  
rT  
Features  
Tj = 150 °C  
Tj = 175 °C  
Tj = 175 °C  
• low forward voltage drop combined  
with a low temperature dependence  
• easy paralleling due to a small forward  
voltage spread  
m  
• very soft recovery behavior  
• small switching losses  
• high ruggedness  
Dynamic Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications*  
Tj = 25 °C, 200 A, 400 V, 3000 A/µs  
Err  
Err  
Qrr  
Qrr  
Irrm  
Irrm  
2.1  
5.8  
7.8  
19.7  
130  
196  
mJ  
mJ  
µC  
µC  
A
• freewheeling diode for IGBT  
Tj = 150 °C, 200 A, 400 V, 3000 A/µs  
Tj = 25 °C, 200 A, 400 V, 3000 A/µs  
Tj = 150 °C, 200 A, 400, 3000 A/µs  
Tj = 25 °C, 200 A, 400 V, 3000 A/µs  
Tj = 150 °C, 200 A, 400, 3000 A/µs  
Footnotes  
1) Nominal IGBT IF rating,  
verified by design and characterization  
A
Thermal Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj  
Tstg  
Tsolder  
Tsolder  
-40  
-40  
175  
175  
250  
320  
°C  
°C  
°C  
°C  
10 min.  
5 min.  
Mechanical Characteristics  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
Raster  
size  
Area total  
9 x 9  
mm2  
mm²  
81  
Anode  
Metallization  
Metallization  
bondable (Al)  
Cathode  
Wire bond  
Package  
solderable (Ag/Ni)  
Al, typ. diameter = 300 µm  
150 mm wafer frame  
Chips /  
Package  
179  
pcs  
SKCD  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 12.06.2012  
1
12

中文翻译

下载PDF

与SKCD81C065I4F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKCD81C120I3 SEMIKRON

获取价格

 		SEMICELL CAL-DIODE
SKCD81C120I3_10 SEMIKRON

获取价格

 		CAL-DIODE
SKCD81C120I4F SEMIKRON

获取价格

 		CAL-DIODE
SKCD81C120IHD SEMIKRON

获取价格

 		SEMICELL CAL-DIODE
SKCD81C120IHD_10 SEMIKRON

获取价格

 		CAL-DIODE
SKCD81C170I4F SEMIKRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 150A, 1700V V(RRM),
SKCD81C170IHD SEMIKRON

获取价格

 		SEMICELL CAL-DIODE
SKCD81C170IHD_10 SEMIKRON

获取价格

 		CAL-DIODE
SKCD9C060I3 SEMIKRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, 2.95 X 2.95 MM, WAFER-1
SKCH 28 SEMIKRON

获取价格

 		Bridge Rectifier Modules SEMIPONT 1 (63x32x22)

与SKCD81C065I4F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证