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SKB02N60E3266

更新时间： 2024-11-05 15:51:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	294K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, D2PAK-3

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SKB02N60E3266 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	354 ns	标称接通时间 (ton)：	34 ns
Base Number Matches：	1

SKB02N60E3266 数据手册

SKB02N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• Qualified according to JEDEC¹for target applications

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Marking

Package

Ordering Code

SKB02N60

600V

2.2V

K06N60

P-TO-263-3-2

Q67040-S4215

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

6.0

2.9

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_Cpuls

Turn off safe operating area

_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

I_F

6.0

2.9

T_C= 25°C

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time²

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

I_Fpuls

V_GE

t_SC

±20

µs

P_tot

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

T_j, T_stg

-55...+150

220

°C

T_s

°C

¹J-STD-020 and JESD-022

²Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2 Jan 05

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SKB04N60_07	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
SKB04N60ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COM
SKB04N60-E-3045A	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, P
SKB04N60XT	INFINEON	获取价格	暂无描述
SKB06N60	INFINEON	获取价格	Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
SKB06N60ATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP
SKB06N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology
SKB06N60HS_07	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SKB06N60HSATMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP

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