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SK9GD063

更新时间： 2024-01-31 11:24:57
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 131K
描述
IGBT Module

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SK9GD063 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：11Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：11 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X11JESD-609代码：e2
元件数量：6端子数量：11
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：250 ns标称接通时间 (ton)：105 ns
Base Number Matches：1

SK9GD063 数据手册

 浏览型号SK9GD063的Datasheet PDF文件第2页 
SK 9 GD 063  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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Target Data  
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GD  
1
13-05-2005 RAM  
© by SEMIKRON  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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