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SK8GD126

更新时间： 2024-10-01 03:31:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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4页	361K
描述
IGBT Module

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SK8GD126 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	JESD-609代码：	e2
元件数量：	6	端子数量：	11
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	520 ns	标称接通时间 (ton)：	115 ns
Base Number Matches：	1

SK8GD126 数据手册

SK 8 GD 126

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IGBT Module

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SK 8 GD 126

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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Target Data

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max. Units

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Features

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Typical Applications

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19-10-2005 RAM

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SK8GD126_06	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK8GD126_07	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK90B	TSC	获取价格	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SK9121	NJSEMI	获取价格	Unijunction Transistors
SK9122	NJSEMI	获取价格	Unijunction Transistors
SK9123	NJSEMI	获取价格	Unijunction Transistors
SK9124	NJSEMI	获取价格	Unijunction Transistors
SK9132	NJSEMI	获取价格	Bipolar Transistors
SK9137	NJSEMI	获取价格	Bipolar Transistors
SK9137/382	NJSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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