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SK8DGDL063

更新时间: 2024-10-01 20:46:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 335K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE T43, SEMITOP-18

SK8DGDL063 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18
针数:18Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):11 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-XUFM-X18
JESD-609代码:e2元件数量:7
端子数量:18最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SK8DGDL063 数据手册

 浏览型号SK8DGDL063的Datasheet PDF文件第2页 
SK 8 DGDL 063  
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SEMITOP 3  
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Rectifier  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT - Inverter, Chopper  
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max. Units  
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Typical Applications  
Diode - Inverter, Chopper  
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@
FBG  
D
Temperatur sensor  
Aꢇꢊ  
L2 $ /    1ꢁ  
 
Mechanical data  
@+  
8  
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02*  
!ꢃ  
DGDL  
1
11-09-2003 SCT  
© by SEMIKRON  

与SK8DGDL063相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK8DGDL065ET SEMIKRON

获取价格

3-phase bridge rectifier + brake chopper +3-phase bridge inverter
SK8DGDL065ET_08 SEMIKRON

获取价格

3-phase bridge rectifier + brake chopper +3-phase bridge inverter
SK8FORTL.ZAHLEN-0804183 PHOENIX

获取价格

Plug component, Nominal current: 12 A, Rated voltage (III/2): 320 V, Number of positions:
SK8GD062 SEMIKRON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE T12, 11 PIN
SK8GD126 SEMIKRON

获取价格

IGBT Module
SK8GD126_06 SEMIKRON

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SK8GD126_07 SEMIKRON

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SK90B TSC

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1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SK9121 NJSEMI

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Unijunction Transistors
SK9122 NJSEMI

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