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SK8603190L PDF预览

SK8603190L

更新时间： 2024-01-26 17:38:05
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 353K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HSO8-F4-B, SC-111BC, 8 PIN

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SK8603190L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：HSO8-F4-B, SC-111BC, 8 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：8外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SK8603190L 数据手册

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Doc No. TT4-EA-14211  
Revision. 4  
MOS FET  
SK8603190L  
SK8603190L  
Silicon N-channel MOS FET  
Unit : mm  
5.1  
4.9  
7
For Load-switching / For DC-DC Converter  
0.22  
8
6
5
Features  
Low Drain-source On-state Resistance : RDS(on) typ = 10 m(VGS = 4.5 V)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 compliant)  
1
2
3
4
0.4  
1.0  
Marking Symbol :  
Packaging  
19  
1.27  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)  
1. Source  
2. Source  
3. Source  
4. Gate  
5. Drain  
6. Drain  
7. Drain  
8. Drain  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Panasonic  
JEITA  
HSO8-F4-B  
SC-111BC  
—
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Rating  
30  
20  
16  
12  
19  
48  
2.7  
Unit  
V
Code  
VGS  
Ta = 25 C, t = 10 s *1  
Ta = 25 C, DC *1  
Tc = 25 C  
Internal Connection  
Drain Current  
ID  
A
8
7
6
5
Pulsed, Tch < 150 C *2  
Ta = 25 C, DC *1  
Tc = 25 C  
Total Power  
Dissipation  
PD  
W
19  
Channel to Ambient Rth(ch-a)  
45  
6.6  
150  
Thermal Resistance  
C / W  
Channel to Case  
Rth(ch-c)  
Tch  
Channel Temperature  
Operating ambient temperature  
Storage Temperature Range  
Avalanche Current (Single pulse)  
Avalanche Energy (Single pulse)  
Topr  
Tstg  
IAR  
-40 to +85  
-55 to +150  
C  
1
2
3
4
*3  
*3  
8
8
A
mJ  
EAR  
Pin Name  
Note *1 Device mounted on a glass-epoxy board in Figure 1  
*2  
*3  
1. Source  
2. Source  
3. Source  
4. Gate  
5. Drain  
6. Drain  
7. Drain  
8. Drain  
Pulse test: Ensure that the channel temperature does not exceed 150 C  
VDD = 24 V, VGS = 10 to 0 V, L = 0.1 mH, Tch = 25 C (initial)  
Figure 1 FR4 Glass-Epoxy Board  
25.4 mm × 25.4 mm × 0.8 mm  
Page 1 of 6  
Established : 2012-09-14  
Revised : 2013-05-31  
1234567

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