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SK85MH10T

更新时间: 2024-02-11 08:37:20
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 547K
描述
MOSFET Module

SK85MH10T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-P14
针数:14Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:8.49
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-P14JESD-609代码:e3/e4
元件数量:4端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:NO端子面层:TIN/SILVER
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SK85MH10T 数据手册

 浏览型号SK85MH10T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK85MH10T的Datasheet PDF文件第3页 
SK 85 MH 10 T MOSFET,TRANSISTOR  
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SK 85 MH 10 T  
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Features  
Characteristics  
Symbol Conditions  
MOSFET  
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MH - T  
1
16-02-2007 DIL  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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