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SK85MH10

更新时间: 2024-09-28 03:04:15
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 430K
描述
MOSFET Module

SK85MH10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-P8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-P8JESD-609代码:e2
元件数量:4端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:PIN/PEG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SK85MH10 数据手册

 浏览型号SK85MH10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK85MH10的Datasheet PDF文件第3页 
SK 85 MH 10  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
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SEMITOP 2  
 
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MOSFET Module  
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SK 85MH10  
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Preliminary Data  
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Features  
Characteristics  
Symbol Conditions  
MOSFET  
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Typical Applications  
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0
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0>  
5> + 86 03# + 0  
5AA(  
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5> + 86  %: + .ꢁ  
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  @;  
MH  
1
11-09-2003 SCT  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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