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SK75DGDL066T

更新时间： 2024-11-16 03:31:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 875K
描述
3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter

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SK75DGDL066T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P30针数：30
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：81 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-P30
元件数量：7端子数量：30
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：611 ns标称接通时间 (ton)：145 ns
VCEsat-Max：1.85 VBase Number Matches：1

SK75DGDL066T 数据手册

 浏览型号SK75DGDL066T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK75DGDL066T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SK75DGDL066T的Datasheet PDF文件第4页 
SK 75 DGDL 066 T CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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Features  
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Characteristics  
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DGDL - T  
1
14-09-2007 DIL  
© by SEMIKRON  
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与SK75DGDL066T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK75DGDL066T_09 SEMIKRON

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 		3-phase bridge rectifier + brake chopper + 3-phase bridge inverter
SK75DM060D SEMIKRON

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 75A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin
SK75DM100D SEMIKRON

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 		Power Bipolar Transistor, 75A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin
SK75GAL12T4 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T18, 7 PIN
SK75GAR12T4 SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T18, 7 PIN
SK75GARL065E SEMIKRON

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 		IGBT Module
SK75GARL065E_07 SEMIKRON

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SK75GARL07S5TD1E1 SEMIKRON

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 		IGBT Modules SEMITOP E1 (63x34x12)
SK75GB066T SEMIKRON

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