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SK55GARL065E

更新时间: 2024-11-21 03:19:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 674K
描述
IGBT Module

SK55GARL065E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
针数:14Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.69
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):54 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X14
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:14最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):240 ns
标称接通时间 (ton):90 nsBase Number Matches:1

SK55GARL065E 数据手册

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SK55GARL065E  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
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SK55GARL065E  
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Features  
Module  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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GARL-E  
1
29-05-2007 SCT  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SK55L-TP-HF MCC

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Rectifier Diode,
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Rectifier Diode,