SK34SMA-3G
SK34SMA-3G
IFAV
= 3 A
VRRM = 40 V
SMD Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation
SMD Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation
VF@3A < 0.50 V
VF@1A ~ 0.39 V
IFSM = 80/90 A
Tjmax = 150°C
Version 2018-09-12
Typical Applications
Typische Anwendungen
~ SMA
Output Rectification in DC/DC
Converters, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes
Ausgangsgleichrichtung in
Gleichstromwandlern, Verpolschutz,
Freilaufdioden
~ DO-214AC
5± 0.2
Commercial grade
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Besonderheiten
Optimaler Kompromiss zw. VF und IR
Niedrigerer Sperrstrom als SK34SMA
Konform zu RoHS, REACH,
Best trade-off between VF and IR
Lower reverse leakage than SK34SMA
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
1± 0.3
0.15
R
Pb
V
Konfliktmineralien 1)
Type
Typ
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
Weight approx.
7500 / 13“
0.07 g
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
4.5± 0.3
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
More parts in this product family:
SL34SMA-3G
SK34SMA L217 15MQ040N
SK35SMA ... SK315SMA
Weitere Bauteile in dieser Produktfamilie:
Extremely low VF
Low IR
50V ... 150V VRRM
SL34SMA-3G
SK34SMA L217 15MQ040N
SK35SMA ... SK315SMA
Extrem niedriges VF
Niedriger IR
50V ... 150V VRRM
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Type
Typ
)
DC blocking voltage
Sperrgleichspannung
VDC [V] 4)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
3
VRRM [V]
40
VRSM [V]
40
SK34SMA-3G/-Q/-AQ
32
Max. average forward current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
TT = 100°C
IFAV
3 A
Repet. peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Half sine-wave
TT = 100°C
IFRM
IFSM
20 A
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
50 Hz (10 ms)
80 A
90 A
Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms)
Rating for fusing
Grenzlastintegral
t < 10 ms
i2t
32 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Type marking without “SMA” or “-Q/-AQ” – Typenmarkierung ohne „SMA“ oder „-Q/-AQ“
Defined for -AQ parts only, Tj = 125°C – Nur definiert für -AQ Bauteile, Tj = 125°C
2
3
4
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1