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SK30GAR067

更新时间: 2024-09-28 03:31:55
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 320K
描述
IGBT Module

SK30GAR067 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-P7
针数:7Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):45 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-P7JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:7
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-60747-1
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:PIN/PEG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):295 ns
标称接通时间 (ton):67 nsBase Number Matches:1

SK30GAR067 数据手册

 浏览型号SK30GAR067的Datasheet PDF文件第2页 
SK 30 GB 067  
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SK 30 GB 067  
SK 30 GAR 067  
SK 30 GAL 067  
Target Data  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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28-02-2006 DIL  
© by SEMIKRON