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SK30GAD066T

更新时间： 2024-02-13 06:09:05
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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5页 584K
描述
IGBT Module

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SK30GAD066T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CASE T57, SEMITOP-16
针数：16Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：38 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-XUFM-X16
元件数量：6端子数量：16
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SK30GAD066T 数据手册

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SK30GAD066T  
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SEMITOP 3  
Inverse Diode  
IGBT Module  
#
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+
+
A
#
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+
A9:  
SK30GAD066T  
Freewheeling Diode  
#
 4 - *7/ 0ꢁ  
 
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+
+
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#
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Target Data  
A9:  
Module  
#
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2
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Features  
 
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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2
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Typical Applications  
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Remarks  
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ꢄꢉꢏ #;ꢚ  
JKL  
GAD  
1
05-09-2007 DIL  
© by SEMIKRON  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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