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SK30DB100D

更新时间: 2024-09-27 21:18:03
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin

SK30DB100D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.59
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):30 A
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):100
最大降落时间(tf):3000 nsJESD-30 代码:R-PUFM-X7
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:620 W
最大功率耗散 (Abs):310 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):18000 ns最大开启时间(吨):2500 ns
VCEsat-Max:2.5 VBase Number Matches:1

SK30DB100D 数据手册

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