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SK2530YD2

更新时间： 2024-09-24 09:24:47
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
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Surface Mount Schottky Rectifiers – Single Diode

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SK2530YD2 ... SK2545YD2  
SK2530YD2 ... SK2545YD2  
Surface Mount Schottky Rectifiers – Single Diode  
Schottky-Gleichrichter für die Oberflächenmontage – Einzeldiode  
Version 2011-10-11  
Nominal Current  
Nennstrom  
25 A  
1.2  
10.25±0.5  
4.5±0.2  
4
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
30...45 V  
Type  
Typ  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
TO-263AB  
D²PAK  
1
2
3
1.3  
Weight approx. – Gewicht ca.  
1.6 g  
0.8  
5.08  
0.4  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
1
2/4  
Standard packaging in tubes  
Standard Lieferform in Stangen  
3
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Type  
Typ  
Repetitive / Surge peak reverse voltage  
Periodische- / Spitzensperrspannung Durchlass-Spannung  
Forward Voltage  
Forward Voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] Tj = 25°C  
VRRM [V] / VRSM [V]  
VF [V] Tj = 125°C  
IF = 5 A  
IF = 5 A  
< 0.50  
< 0.50  
< 0.50  
IF = 25 A  
< 0.58  
< 0.58  
< 0.58  
SK2530YD2  
SK2540YD2  
SK2545YD2  
30  
40  
45  
typ. 0.30  
typ. 0.30  
typ. 0.30  
Max. average forward rectified current (AC), R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TC = 100°C  
TC = 130°C  
IFAV  
25 A  
Max. current in DC forward mode  
IFAV  
25 A  
Dauergrenzstrom bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
IFRM  
IFSM  
60 A 1)  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
290/330 A  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
TA = 25°C  
i2t  
420 A2s  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
≤ 200°C 2)  
-50...+175°C  
Leakage current  
Sperrstrom  
VR = VRRM  
Tj = 25°C  
Tj = 25°C  
Tj = 100°C  
IR  
< 500 µA  
typ. 200 µA  
typ. 30 mA  
Thermal resistance junction to case  
RthC  
< 1.5 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse  
1
2
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C  
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”  
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
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