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SK20BGDL063

更新时间: 2024-01-08 17:14:49
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 326K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE T44, SEMITOP-17

SK20BGDL063 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数:17Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):26 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-XUFM-X17
JESD-609代码:e2元件数量:7
端子数量:17最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):750 ns
标称接通时间 (ton):110 nsBase Number Matches:1

SK20BGDL063 数据手册

 浏览型号SK20BGDL063的Datasheet PDF文件第2页 
SK 20 BGDL 063  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
IGBT - Inverter (For chopper IGBT please refer to SK 10 BGDL 063)  
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SEMITOP 3  
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Rectifier  
1-phase bridge rectifier +  
brake chopper +3-phase  
bridge inverter  
SK 20 BGDL 063  
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Target Data  
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Features  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
min.  
typ.  
max. Units  
IGBT Inverter (For chopper IGBT please refer to SK 10 BGDL 063)  
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3ꢁ4 / 3&4 / + 32  / 6 8ꢒF  
3ꢁ4 / 3&4 / + 32  / 6 8ꢒF  
626  
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Typical Applications  
Diode - Inverter (For chopper diode please refer to SK 10 BGDL 063)  
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Diode rectifier  
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+2,  
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3
3
3ꢘ$ꢎ  
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Bꢇꢕꢘ<"ꢊ  
ꢄꢉꢏ ꢈꢋꢂꢈꢉ  
62A  
GCH  
E
Temperatur sensor  
Bꢇꢊ  
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Mechanical data  
:+  
8  
8ꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ ꢇꢂꢏMꢑꢉ  
02*  
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BGDL  
1
11-09-2003 SCT  
© by SEMIKRON  

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