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SK 200 GB 12T4 Tp PDF预览

SK 200 GB 12T4 Tp

更新时间： 2024-11-19 14:53:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 285K
描述
IGBT Modules SEMITOP 4 Press-Fit (61x55x12)

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SK 200 GB 12T4 Tp 数据手册

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SK200GB12T4Tp  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
210  
170  
200  
600  
V
A
A
A
A
V
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3 x ICnom  
VCC = 800 V  
-20 ... 20  
SEMITOP® 4 Press-Fit  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
IGBT module  
Inverse - Diode  
Tj = 25 °C  
Engineering Sample  
SK200GB12T4Tp  
Target Data  
VRRM  
IF  
1200  
190  
V
A
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
151  
A
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
200  
A
Features  
IFRM = 3 x IFnom  
10 ms, sin 180°, Tj = 150 °C  
600  
A
• One screw mounting module  
• Solder free mounting with Press-Fit  
terminals  
990  
A
-40 ... 175  
°C  
• Fully compatible with SEMITOP® 2 and  
3 Press-Fit  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Tterminal = 100 °C, TS = 60°C  
40  
-40 ... 125  
2500  
A
°C  
V
• Improved thermal performances by  
aluminum oxide substrate  
Visol  
AC, sinusoidal, 50Hz, t = 1 min  
• Trench4 IGBT technology  
• CAL4F diode technology  
• Integrated PTC temperature sensor  
• UL recognized, file no. E 63 532  
Characteristics  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications*  
• Switching SR Drives  
• Inverter  
IC = 200 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.80  
2.20  
2.05  
2.40  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
• Switched mode power supplies  
• UPS  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.80  
0.70  
5.0  
7.5  
5.8  
0.90  
0.80  
5.8  
8.0  
6.5  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE = VCE, IC = 12 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1200 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
Eoff  
Rth(j-s)  
5
2.66  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
12.3  
0.81  
0.69  
1130  
3.8  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
-8V...+15V  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
VCC = 600 V  
I
C = 200 A  
R
R
G on = 2 Ω  
G off = 2 Ω  
13.6  
VGE = +15/-15 V  
per IGBT  
22.1  
0.28  
mJ  
K/W  
GB-T  
© by SEMIKRON  
Rev. 0.1 – 09.02.2017  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK 25 DGD 12 T4 Tp SEMIKRON

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