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SK15GH066

更新时间： 2024-11-26 20:11:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
4页 197K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SK15GH066 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
Base Number Matches：1

SK15GH066 数据手册

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SK15GH066  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
600  
27  
22  
15  
45  
V
A
A
A
A
V
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3 x ICnom  
VCC = 360 V  
-20 ... 20  
SEMITOP® 2  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 600 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
6
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
IGBT module  
Engineering Sample  
SK15GH066  
Inverse - Diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
600  
29  
V
A
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
24  
20  
A
A
Target Data  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
Features*  
• Compact design  
• One screw mounting module  
• Heat transfer and insulation through  
direct copper bonded aluminium oxide  
ceramic (DBC)  
• 600V Trench3 IGBT technology  
• CAL4 diode technology FWD  
• Integrated NTC temperature sensor  
• UL recognized, file no. E 63 532  
IFRM = 3 x IFnom  
10 ms, sin 180°, Tj = 150 °C  
60  
A
95  
A
-40 ... 175  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
∆Tterminal at PCB joint = 30 K, per pin  
60  
-40 ... 125  
2500  
A
°C  
V
Visol  
AC, sinusoidal, t = 1 min  
Characteristics  
Typical Applications  
• DC/DC Converter  
• DC Motor Drives  
• Welding  
Symbol Conditions  
Inverter - IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IC = 15 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.45  
1.65  
1.90  
2.05  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.90  
0.85  
37  
53  
5.8  
1.00  
0.90  
60  
77  
6.5  
0.1  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
Eoff  
Rth(j-s)  
VGE = VCE, IC = 0.21 mA  
VGE = 0 V, VCE = 600 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5
0.86  
0.055  
0.024  
130  
0
18  
13  
0.3  
190  
57  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = -15V ... +15V  
Tj = 25 °C  
VCC = 300 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
I
C = 15 A  
R
R
G on = 15 Ω  
G off = 15 Ω  
VGE = +15/-15 V  
0.4  
1.8  
mJ  
K/W  
per IGBT, λpaste=0.8 W/(mK)  
GH  
© by SEMIKRON  
Rev. 0.1 – 27.01.2020  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK15GP MCC

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 		暂无描述
SK15-GT3 SENSITRON

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