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SK15GD126

更新时间： 2024-11-25 22:43:11

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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IGBT Module

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SK15GD126 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	22 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	JESD-609代码：	e2
元件数量：	6	端子数量：	11
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	595 ns	标称接通时间 (ton)：	55 ns
Base Number Matches：	1

SK15GD126 数据手册

SK 15 GD 126

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IGBT Module

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SK 15 GD 126

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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Target Data

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max. Units

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Features

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Typical Applications

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10-11-2005 RAM

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SK15GD126ET	SEMIKRON	获取价格	3-phase bridge inverter
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SK15GH066	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
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