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Datasheet > SK 151 GB 07F3 T

SK 151 GB 07F3 T PDF预览

SK 151 GB 07F3 T

更新时间： 2023-12-06 20:11:15

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	598K
描述
IGBT Modules SEMITOP 3 (55x31x12)

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SK 151 GB 07F3 T 数据手册

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SK 151 GB 07F3 T

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

650

145

115

150

450

V

A

A

A

A

V

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

-20 ... 20

SEMITOP^®3

IGBT module

SK 151 GB 07F3 T

Features*

V_CC= 400 V

V

V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

5

µs

°C

_CES≤ 650 V

T_j

-40 ... 175

Inverse - Diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

600

27

21

40

95

V

A

A

A

A

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

• Compact design

-40 ... 175

°C

• One screw mounting module

• Heat transfer and isolation through

direct copper bonded aluminium oxide

ceramic (DBC)

• 650V Fast Trench3 IGBT technology

• CAL diode technology

• Integrated NTC temperature sensor

• UL recognized, file no. E 63 532

Module

I_t(RMS)

T_stg

∆T_terminalat PCB joint = 30 K, per pin

module without TIM

AC, sinusoidal, t = 1 min

60

-40 ... 125

2500

A

°C

V

V_isol

Characteristics

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications

• Switching (not for linear use)

• Inverter

I_C= 150 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.85

2.18

2.22

2.55

V

V

• Switched mode power supplies

• UPS

V

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

1.10

1.00

5.0

7.9

5.1

1.20

1.10

6.8

9.7

5.6

V

V

mΩ

mΩ

V

mA

nF

nF

nF

nC

Ω

ns

ns

mJ

ns

ns

Remarks

chiplevel

Dynamic measurements set-up:

- IGBT switching on external 150A 600V

Ultrafast diode

V_GE= 15 V

chiplevel

- Diode switching on external 20A 600V

Trench3 IGBT

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

E_off

R_th(j-s)

V_GE= V_CE, I_C= 2.4 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 600 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

4.2

0.2

9.30

0.35

0.27

1380

1.6

153

130

8.8

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

f = 1 MHz

V

_GE= 0 V

V_GE= -15 ... +15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 300 V

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

T_j= 150 °C

I

_C= 150 A

R

R

_{G on}= 15 Ω

_{G off}= 15 Ω

719

43

4

di/dt_on= 974 A/µs

di/dt_off= 3024 A/µs

V

_GE= +15/-15 V

mJ

K/W

per IGBT, λ_paste=0.8 W/(mK)

0.41

GB-T

© by SEMIKRON

Rev. 2.0 – 06.08.2021

1

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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