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SK 150 TMLI 12F4 Tp

更新时间： 2024-11-19 14:57:11

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1172K
描述
IGBT Modules SEMITOP 4 Press-Fit (61x55x12)

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SK 150 TMLI 12F4 Tp

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT1

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

180

145

150

450

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3 x I_Cnom

-20 ... 20

SEMITOP^®4 Press-Fit

3-Level TNPC Inverter

SK 150 TMLI 12F4 Tp

Features

V_CC= 800 V, V_GE≤ 15 V, T_j= 150 °C,

_CES≤ 1200 V

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

IGBT2

V_CES

I_C

T_j= 25 °C

650

105

100

300

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3 x I_Cnom

-20 ... 20

• One screw mounting module

• Solder free mounting with Press-Fit

terminals

V_CC= 360 V, V_GE≤ 15 V, T_j= 150 °C,

_CES≤ 650 V

t_psc

T_j

µs

°C

• Fully compatible with other SEMITOP^®

Press-Fit types

-40 ... 175

Diode1

V_RRM

I_F

• Improved thermal performances by

aluminium oxide substrate

T_j= 25 °C

1200

100

200

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

• 1200V Fast Trench4 IGBT and 650V

Trench3 IGBT technology

T_j= 175 °C

• CAL4F technology FWD

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

• Integrated NTC temperature sensor

• UL recognized, file no. E 63 532

I_FRM= 2 x I_Fnom

10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

550

-40 ... 175

°C

Remarks*

• Recommended Tjop= -40 ... +150°C

• IGBT1: outer IGBTs T1 & T4

• IGBT2: inner IGBTs T2 & T3

• Diode1: outer diodes D1 & D4

• Diode2: inner diodes D2 & D3

Diode2

V_RRM

I_F

T_j= 25 °C

650

132

103

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

100

200

990

°C

I_FRM= 2 x I_Fnom

10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

-40 ... 175

Module

I_t(RMS)

T_stg

T_terminal= 100 °C, T_S= 60°C, per pin

AC, sinusoidal, t = 1 min

-40 ... 125

2500

°C

V_isol

TMLI-T

Rev. 1.0 – 16.04.2018

12 3 4 5 6 7...9

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